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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

电力电子封装组件高温可靠性综述

Survey of High-Temperature Reliability of Power Electronics Packaging Components

R. Khazaka · L. Mendizabal · D. Henry · R. Hanna · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月

为充分发挥SiC和GaN等宽禁带器件的高温运行优势,本文综述了能够承受200°C以上高温存储及大热循环的封装材料。研究重点在于解决极端高温环境下电力电子封装的可靠性挑战,以满足石油钻井、航空航天等特殊应用需求。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中对功率密度要求的不断提升,SiC器件的应用已成为主流。该文献探讨的200°C以上高温封装技术,对于优化阳光电源逆变器及PCS的散热设计、提升功率模块在极端环境下的寿命具有重要参考价值。建议研发团队关注高温封装材料的演进,以进一步减小系统体积,...