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拓扑与电路 储能变流器PCS 双向DC-DC 并网逆变器 ★ 4.0

基于反向耦合电感的单级双向隔离式DC-AC变换器

Novel Single-Stage Bidirectional Isolated DC–AC Converter Based on Inversely Coupled Inductor

Chuang Liu · Yu Jiang · Zhongchen Pei · Mengxue Shen 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文提出了一种基于反向耦合电感的新型单级双向隔离式DC-AC变换器,适用于级联DC-AC固态变压器拓扑。该方案通过简单的调制策略实现了直接的单级功率传输,并详细阐述了其工作原理。

解读: 该拓扑通过反向耦合电感实现单级功率变换,显著简化了电路结构并提升了功率密度,这对阳光电源的储能变流器(如PowerTitan系列)及固态变压器技术具有重要参考价值。单级变换架构有助于减少功率器件数量,降低系统损耗,从而提升储能系统的整体效率。建议研发团队评估该拓扑在工商业储能及中压并网场景下的应用潜...

拓扑与电路 SiC器件 IGBT 功率模块 ★ 5.0

混合SiC-Si直流-交流拓扑:SHEPWM Si-IGBT主单元处理高功率,集成部分功率SiC-MOSFET从单元以提升性能

Hybrid SiC-Si DC–AC Topology: SHEPWM Si-IGBT Master Unit Handling High Power Integrated With Partial-Power SiC-MOSFET Slave Unit Improving Performance

Chuang Liu · Kehao Zhuang · Zhongchen Pei · Di Zhu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

本文基于部分功率变换概念,提出了一种混合SiC-Si直流-交流拓扑以提升高功率应用性能。主单元(MU)采用低频工作的Si-IGBT处理主要高功率,以发挥其大电流容量优势;从单元(SU)采用SiC-MOSFET补偿MU的低开关频率带来的电能质量问题,从而在保持高效率的同时实现高功率密度。

解读: 该拓扑通过Si-IGBT与SiC-MOSFET的混合应用,巧妙平衡了成本与效率,对阳光电源的组串式逆变器和大型集中式逆变器具有重要参考价值。在高功率密度要求日益严苛的背景下,该技术可显著降低开关损耗并优化电能质量。建议研发团队评估该混合拓扑在PowerTitan系列储能变流器及大功率光伏逆变器中的应...