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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于有源栅极驱动优化的SiC MOSFET高保真器件建模

High-Fidelity Device Modeling of SiC MOSFETs for Active Gate Drive Optimization

Qilei Wang · Yushi Wang · Matthew Appleby · Jiaqi Yan 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

有源栅极驱动技术通过整形功率器件的开关波形,有效抑制电压过冲与振荡。针对智能、可编程栅极驱动器参数选择困难及硬件测试风险高的问题,本文提出了一种基于仿真的快速、安全优化方法,用于优化栅极电流路径及控制参数。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,开关过程中的EMI和电压应力控制成为关键。通过高保真建模优化有源栅极驱动,可显著降低开关损耗并抑制振荡,提升系统可靠性。建议研...