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一种具有增强抗偏移能力的无人机集群单输入多输出电容式电能传输系统
A Single-Input Multioutput Capacitive Power Transfer System With Enhanced Misalignment Tolerance for UAV Swarm Charging
Xiaochen Zhang · Pan Sun · Enguo Rong · Gang Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
本文提出了一种用于无人机集群的电场耦合无线充电系统，通过单一发射端实现多无人机同时充电，并具备优异的抗偏移能力和负载解耦特性。文章设计了一种结构简单且性能优越的单输入多输出电场耦合器，有效提升了系统在复杂环境下的充电灵活性与效率。
解读: 该技术属于无线电能传输（CPT）领域，目前阳光电源的电动汽车充电桩业务主要集中在有线快充领域。虽然该技术在无人机集群充电场景具有创新性，但与公司现有的高功率密度、高可靠性充电桩产品线关联度较低。建议关注其电场耦合器设计中涉及的拓扑解耦与抗偏移控制算法，这些技术在未来探索非接触式充电或特定工业场景下的...
具有集成多通道耦合器的高功率电容式电能传输系统
High-Power Capacitive Power Transfer System With Integrated Multichannel Coupler
Gang Yang · Pan Sun · Enguo Rong · Xiaochen Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文提出了一种具有集成多通道耦合器（IMCC）的高功率电容式电能传输（CPT）系统，首次实现了超过10 kW的输出功率。IMCC通过减少补偿电感数量并降低交叉耦合效应，有效提升了系统的功率密度与传输效率，为高功率无线充电技术提供了新的解决方案。
解读: 该技术属于无线电能传输领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在有线光伏逆变器、储能PCS及充电桩，但随着电动汽车充电技术向无线化、智能化方向演进，该研究中关于高功率密度耦合器设计及多通道集成技术，对公司未来布局‘光储充’一体化中的无线充电桩产品具有前瞻性参考价值。建议关注其在降低系统复杂度和提升功率密...
基于双栅GaN HEMT的高功率耐受与紧凑型宽带电压可变衰减器
A Broadband Voltage Variable Attenuator With High-Power Tolerance and Compact Size Based on Dual-Gate GaN HEMTs
Zhifu Hu · Shaohua Zhou · Ruicong He · Qijun Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
本文提出了一种基于双栅高电子迁移率晶体管（HEMT）的宽带电压可变衰减器（VVA）。通过采用分布式堆叠结构替代单栅HEMT，该方法在保证带宽和功率耐受性的前提下，显著减小了芯片面积并降低了成本，验证了其在高频功率控制中的应用潜力。
解读: 该研究聚焦于宽禁带半导体（GaN）在射频与高频功率控制领域的应用，展示了双栅结构在提升功率密度和集成度方面的优势。对于阳光电源而言，虽然目前核心产品线（如光伏逆变器、储能PCS）主要基于SiC和IGBT技术，但随着未来电力电子设备向更高频、更小型化方向演进，GaN器件在辅助电源、高频驱动电路及智能运...
超高di/dt脉冲应用中绝缘栅触发晶闸管瞬态栅极过压的电压耦合抑制技术
Voltage Coupling Enhancement for Transient Gate Overvoltage Suppression of Insulated Gate Trigger Thyristor in Ultrahigh di/dt Pulse Applications
Chao Liu · Wanjun Chen · Ruize Sun · Xiaorui Xu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种电压耦合增强（VCE）技术，用于抑制绝缘栅触发晶闸管（IGTT）在超高di/dt脉冲应用中的瞬态栅极过压。研究发现，由于IGTT内部栅阴极电容（Cgc）与公共源极电感（LC）产生的栅阴极电压耦合效应，导致栅极电压出现异常波动。该技术通过优化耦合路径，有效提升了器件在极端脉冲工况下的可靠性。
解读: 该研究聚焦于IGTT在超高di/dt脉冲工况下的栅极驱动保护，属于功率半导体器件驱动与保护的前沿技术。虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC MOSFET，但该技术对于提升高功率密度、高开关速度电力电子设备的可靠性具有参考价值。在未来涉及高...
稀土氧化物-GaN异质结界面工程用于提升真空紫外探测性能
Interface Engineering of Rare-Earth Oxide-GaN Heterojunction for Improving Vacuum-Ultraviolet Photodetection
Dan Zhang · Jiarong Liang · Han Cai · Weisen Li 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月
氧化镥（Lu₂O₃）是一种超宽带隙（UWB）（5.5 - 6.2 电子伏特）的稀土氧化物，已被提议作为构建真空紫外（VUV）光电探测器的潜在材料。在这项工作中，在 Lu₂O₃/GaN 异质结界面沉积了一层超薄（4 纳米）的氧化铝（Al₂O₃）层，以制备高性能的 Lu₂O₃ 真空紫外光伏探测器。在 0 伏偏压和真空紫外光照下，Lu₂O₃/Al₂O₃/GaN 光电探测器在 192 纳米处的光响应度为 17.2 毫安/瓦，衰减时间为 54.9 毫秒，探测率为 1.2×10¹² 琼斯。该器件的优异性能源...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于稀土氧化物-氮化镓异质结真空紫外光探测器的研究虽属于前沿半导体光电领域，但与公司核心业务的直接关联度相对有限。该技术主要聚焦于真空紫外波段（192nm）的光电探测，其应用场景更多集中在紫外消毒、火焰监测、天文探测等特殊领域，与光伏发电和储能系统的可见光-近红外光谱范...