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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

基于电路法的P-Gate GaN HEMT栅极鲁棒性与可靠性评估

Gate Robustness and Reliability of P-Gate GaN HEMT Evaluated by a Circuit Method

Bixuan Wang · Ruizhe Zhang · Qihao Song · Hengyu Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

针对GaN SP-HEMT栅极过压裕度小的问题,现有直流偏置或脉冲I-V测试方法难以模拟实际变换器中的栅极电压过冲。本文提出了一种新的电路评估方法,能够更真实地反映实际工况下的栅极可靠性。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用成为趋势。该文章提出的电路级栅极可靠性评估方法,能够有效指导研发团队在设计阶段规避GaN器件在复杂开关瞬态下的失效风险。建议在组串式逆变器的高频功率级设计中引入该评估方法,以优化驱动电路设计,提升产品在极端工况下...

可靠性与测试 故障诊断 ★ 5.0

一种考虑交流故障及系统恢复期间动态无功平衡的LCC-HVDC控制改进方法

A Method for Modifying LCC-HVDC Control Considering Dynamic Reactive Power Balance During AC Fault and System Recovery Period

Zhenxiao Yu · Juanjuan Wang · Chuang Fu · Haifeng Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年5月

现有提升交流故障后LCC-HVDC恢复能力的方法多孤立考虑无功功率与相位偏移对换相裕度的影响。本文提出一种结合无功控制与触发角校正的综合控制策略,以增强系统的自恢复能力。首先分析了熄弧角控制下直流输电功率与逆变器吸收无功的可行域,揭示了相位偏移对换相裕度的影响;进而提出在交流故障及恢复过程中考虑动态无功平衡与相位偏移的LCC-HVDC控制修正方法。该方法在故障期间通过无功控制动态调节直流电流与熄弧角参考值,并在不同阶段实施差异化的相位偏移补偿以校正触发角;同时,将满足换相裕度要求的临界触发角作为...

解读: 该LCC-HVDC动态无功平衡控制方法对阳光电源大型储能系统(PowerTitan)及构网型逆变器产品具有重要借鉴价值。研究中提出的无功-相位协同控制策略可应用于ST系列储能变流器的电网故障穿越功能优化:在电网电压跌落时,通过动态调节无功输出与触发角补偿,提升换相稳定性,避免系统脱网。特别是其临界触...