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无电荷传输层夹心结构的Sb2S3室内光伏器件
Sb2S3 indoor photovoltaics with a charge-transport-layer-free sandwich-structure
Wentao Wu · Zihao Chen · Yixuan Chen · Jinyi Fei 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127
本文报道了一种采用无电荷传输层夹心结构的Sb2S3薄膜太阳能电池，用于高效室内光伏应用。该器件以FTO/TiO2/Sb2S3/CuI/Au结构构建，在1000 lux荧光照明下展现出优异的光电转换性能，最大功率输出密度达46.8 μW/cm²，能量转换效率超过15%。通过优化吸收层厚度与界面接触，有效提升了载流子收集效率并降低了复合损失。该结构简化了制备工艺，避免了传统空穴传输层的使用，为低成本、可扩展的室内光伏技术提供了新思路。
解读: 该无电荷传输层Sb2S3室内光伏技术对阳光电源室内物联网供电方案具有重要参考价值。其15%的室内光转换效率和简化的器件结构，可应用于iSolarCloud云平台的无线传感器节点、智能运维系统的分布式监测设备自供电方案。夹心结构省去传统空穴传输层，降低制造成本，与阳光电源低成本光伏组件战略契合。46....
基于正交归一化电网同步器的单相跟网型逆变器通用绝对稳定性判据
Universal Absolute Stability Criterion for Single-Phase Grid-Following Inverters Equipped With Orthogonal-Normalization-Based Grid Synchronizer
Cheng Cheng · Shaojun Xie · Jinming Xu · Qiang Qian · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文针对单相跟网型逆变器系统，利用频域非线性理论，提出了一种通用的绝对稳定性判据。该方法解决了现有文献中缺乏对非线性逆变器系统进行严格稳定性分析的难题，为提升单相并网系统的稳定性提供了理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心业务——光伏逆变器。特别是针对户用光伏逆变器及小型工商业组串式逆变器，电网同步的稳定性是保证产品在弱电网环境下可靠运行的关键。该文提出的通用绝对稳定性判据，可指导研发团队优化锁相环（PLL）及同步控制算法，提升产品在复杂电网环境下的抗扰动能力，减少因电网波动导致的脱网风...
基于准谐振控制的单级正激-反激PFC变换器研究
Study on the Single-Stage Forward-Flyback PFC Converter With QR Control
Xiaogao Xie · Jiangsong Li · Kunsheng Peng · Chen Zhao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月
本文研究了采用准谐振（QR）控制的单级正激-反激PFC变换器。该拓扑通过共用变压器将反激与正激变换器集成。当输入电压低于反射输出电压时，仅反激子变换器工作；当输入电压较高时，两者协同工作以分担功率，有效提升了转换效率与功率因数。
解读: 该拓扑通过单级架构实现PFC与DC-DC变换，具有高功率密度和低成本优势，非常契合阳光电源户用光伏逆变器及小型储能PCS的轻量化设计需求。准谐振（QR）控制技术有助于降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队关注该拓扑在小功率段的集成应用，通过优化变压器磁集成设计，进一步缩小户用逆变器体积，提升产品在...
弱电网及畸变环境下基于阻抗相位整形的LCL滤波逆变器鲁棒并网电流控制
Robust Grid Current Control With Impedance-Phase Shaping for LCL-Filtered Inverters in Weak and Distorted Grid
Jinming Xu · Shaojun Xie · Binfeng Zhang · Qiang Qian · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
针对LCL滤波并网逆变器，本文提出了一种基于阻抗相位整形的有源阻尼控制策略。该方法在弱电网及背景电压畸变环境下，通过最小化传感器使用，有效提升了系统的带宽与鲁棒性，解决了非理想电网条件对逆变器性能的严重影响。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式逆变器及集中式逆变器）具有极高的应用价值。随着全球光伏渗透率提升，弱电网接入及电网电压畸变已成为逆变器并网的痛点。该研究提出的阻抗相位整形技术，能够显著提升阳光电源逆变器在复杂电网环境下的稳定性，减少对硬件传感器的依赖，从而降低成本并提升系统可靠性。建议研发团队将...
基于动态模态分解的IGBT模块降阶温度场预测方法
Dynamic Mode Decomposition Based Reduced-Order Temperature Field Prediction Method for IGBT Module
Jiahao Geng · Fujin Deng · Kai Hou · Qiang Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
针对高功率IGBT模块的温度场分布分析，本文提出了一种基于动态模态分解（DMD）的降阶温度场预测方法。该方法利用有限元仿真获取的快照数据，在保证高精度的前提下，显著降低了计算复杂度，为电力电子系统的热设计与可靠性评估提供了高效的分析手段。
解读: 热管理是阳光电源组串式/集中式逆变器及PowerTitan储能系统核心竞争力的关键。该研究提出的DMD降阶模型能显著提升热仿真效率，缩短产品研发周期。在实际应用中，该技术可集成至iSolarCloud平台或嵌入式控制系统中，实现对IGBT模块结温的实时高精度预测，从而优化功率器件的过温保护策略，提升...
基于VMSS的变输入电压扰动下组合逆变器波形感知故障诊断算法
A Waveform-Informed Fault Diagnosis Algorithm for Combined Inverters Under Variable Input Voltage Disturbances Based on VMSS
Zhanjun Huang · Jun Xie · Qiang Yang · Maning Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
针对更多电飞机机载逆变器在HVDC母线电压扰动下的故障诊断难题，本文提出了一种基于VMSS的波形感知故障诊断算法。该算法有效解决了输入电压波动导致的故障特征模糊问题，提高了逆变器在复杂工况下的开路故障诊断准确性与鲁棒性。
解读: 该研究提出的波形感知故障诊断技术对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品具有重要参考价值。在光伏电站或储能系统中，直流侧电压受光照强度、电池SOC及电网波动影响较大，传统的固定阈值诊断方法易产生误报。引入该算法可提升阳光电源iSolarCloud智能运维平台在复杂电网环境下的故障预警精度，降低运维成...
考虑频率反馈环路效应的单相SOGI锁相环建模、稳定性及设计
Modeling, Stability, and Design of the Single-Phase SOGI-Based Phase-Locked Loop Considering the Frequency Feedback Loop Effect
Jinming Xu · Hao Qian · Qiang Qian · Shaojun Xie · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
本文针对单相并网逆变器中广泛使用的二阶广义积分器锁相环（SOGI-PLL），指出了现有研究在建模与设计中忽略频率反馈环路导致潜在不稳定的问题。文章深入分析了频率反馈环路对系统稳定性的影响，并提出了改进的建模与设计方法，以提升单相并网系统的稳定性与频率适应性。
解读: 该研究直接关联阳光电源户用及工商业组串式逆变器产品的核心控制算法。SOGI-PLL是单相并网逆变器实现电网同步的关键技术，尤其在弱电网环境下，频率反馈环路引起的稳定性问题是提升产品并网性能的难点。建议研发团队将此建模方法集成至iSolarCloud智能运维平台的仿真模型中，优化逆变器在复杂电网环境下...
考虑锁相环频率耦合效应的单相并网逆变器输出阻抗建模
Output Impedance Modeling of Single-Phase Grid-Tied Inverters With Capturing the Frequency-Coupling Effect of PLL
Qiang Qian · Shaojun Xie · Jinming Xu · Kunshan Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月
本文研究了考虑锁相环（PLL）频率耦合效应的单相并网逆变器输出阻抗建模，旨在实现精确的稳定性分析。通过构建多频导纳矩阵（MAM），利用广义奈奎斯特判据预测逆变器-电网系统的稳定性，为解决复杂电网环境下的振荡问题提供了理论基础。
解读: 该研究直接针对阳光电源核心产品——组串式及户用光伏逆变器的并网稳定性问题。在弱电网或高比例可再生能源接入场景下，PLL引起的频率耦合是导致系统谐振和不稳定的关键因素。通过引入多频导纳矩阵（MAM）建模，阳光电源研发团队可更精准地优化逆变器控制环路参数，提升产品在复杂电网环境下的鲁棒性，减少现场谐振故...
针对滤波器电感波动的400Hz逆变器重复控制与主动阻尼协调自整定实现
Coordinated Self-Tuning Implementation of Repetitive Control and Active Damping for 400 Hz Inverter against Filter Inductance Fluctuation
Qiang Qian · Li Zhang · Ying Lu · Zhuolin Yang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
400Hz逆变器在舰载电力系统中至关重要。由于控制频率与基频比值较小，插入式重复控制（RC）在谐波抑制方面表现优异。然而，过载导致的滤波器电感波动会影响系统稳定性。本文提出了一种协调自整定方法，通过实时调整RC参数和主动阻尼增益，有效解决了电感波动下的谐波抑制与系统稳定性问题。
解读: 该研究提出的重复控制与主动阻尼自整定技术，对阳光电源的组串式逆变器及工商业储能PCS产品具有重要参考价值。在弱电网或复杂负载环境下，逆变器输出滤波器（LCL/LC）参数易受温度、老化及过载影响，导致谐波抑制能力下降。通过引入自整定算法，可增强逆变器在电感参数波动下的鲁棒性，提升电能质量。建议研发团队...
基于状态与扰动观测器的单电流传感器弱电网跟网型逆变器鲁棒控制方案
Single Grid-Current Sensor-Controlled Weak-Grid-Following Inverters: A State-and-Disturbance-Observer-Based Robust Control Scheme Achieving Grid-Synchronization and Disturbance Rejection
Cheng Cheng · Shaojun Xie · Lin Tu · Lingjuan Tan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
本文针对LCL滤波逆变器系统，提出了一种基于单电流传感器的跟网型控制方案。通过引入状态与扰动观测器，有效处理了弱电网下的功率控制与电压波动问题，并在线性框架下实现了直观的鲁棒稳定性分析，在降低传感器成本的同时提升了并网性能。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及集中式逆变器产品线具有重要价值。在弱电网环境下，减少传感器数量不仅能显著降低硬件成本，还能提升系统在复杂电网条件下的鲁棒性。通过状态与扰动观测器实现的高性能控制，可直接优化阳光电源现有逆变器的并网算法，提升在弱电网（如高阻抗电网）下的电能质量与稳定性。建议研发团队将其...
基于拟变分不等式的电力-交通系统充电定价研究
Charging Pricing in Power-Traffic Systems with Price-Elastic Demand: A Quasi-Variational Inequality Approach
Shiwei Xie · Longtao Xie · Qiuwei Wu · Shengwen Shu 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年5月
电动汽车的兴起推动了电力与交通系统的深度融合。本文提出一种考虑价格弹性需求的三层次充电定价框架，刻画配电网、充电运营商与电动汽车用户间的交互。通过构建带价格弹性需求的用户均衡拟变分不等式模型，将原三层次问题转化为含QVI约束的双层优化问题，提升数学可处理性。上层优化配电网能量调度，下层求解充电运营商定价策略。设计投影梯度与定制化不动点算法求解，并通过仿真验证模型与算法的有效性与优越性。灵敏度分析表明需求弹性和调控政策显著影响系统效率，体现模型鲁棒性。
解读: 该充电定价优化技术对阳光电源充电桩及储能业务具有重要应用价值。拟变分不等式框架可集成至iSolarCloud平台，实现配电网-充电站-用户三层协同优化：上层结合PowerTitan储能系统进行能量调度削峰填谷，中层优化充电桩动态定价策略，下层预测价格弹性需求引导用户行为。该模型可提升充电站运营收益1...
具有AlN插入层的新型增强型p沟道GaN MOSFET
Novel Enhancement-Mode p-Channel GaN MOSFETs With an AlN Insert Layer
Hai Huang · Maolin Pan · Qiang Wang · Xinling Xie 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
在本研究中，在专为 p - GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）设计的商用 GaN 晶圆上展示了一款增强型（E 型）p 沟道 GaN 金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（p - MOSFET），其最大导通态电流（ ${I}_{\text {ON}}$ ）密度为 10.5 mA/mm，阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）为 - 2.45 V， ${I}_{\text {ON}}/{I}_{\text {OFF}}$ 比为 $10^{{8}}$ 。此外，我们提出了一种新型 E...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于AlN插入层的增强型p沟道GaN MOSFET技术具有重要的战略意义。当前我们的光伏逆变器和储能变流器主要采用n沟道功率器件，而该技术突破为实现GaN基互补金属氧化物半导体（CMOS）架构提供了关键的p沟道器件解决方案。 该技术的核心价值在于显著改善的器件性能参数...