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基于测量与计算混合法的电磁噪声源阻抗识别
Identifying Electromagnetic Noise-Source Impedance Using Hybrid of Measurement and Calculation Method
Feng Zheng · Wugang Wang · Xiaofan Zhao · Mengke Cui 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
识别噪声阻抗是优化EMI滤波器性能的关键。本文提出了一种阻抗扰动法，可在宽频率范围内测量和计算未知阻抗，同时获取差模/共模（DM/CM）阻抗的幅值与相位。该方法为电力电子设备的电磁兼容性设计提供了精确的理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源全系列电力电子产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）的电磁兼容（EMC）设计。在产品高功率密度化趋势下，EMI滤波器设计难度增加，该阻抗识别方法能有效提升滤波器设计的准确性，缩短研发周期，降低因EMI问题导致的认证风险。建议研发团队将其应用于iSolar...
单向电流MMC在桥臂电流单向性被破坏时的穿越能力分析
Analysis of Ride-Through Capability of Unidirectional-Current MMC with Arm Current Unidirectionality Disrupted
Zhengxuan Li · Qiang Song · Biao Zhao · Zhanqing Yu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
基于单向电流全桥子模块（UC-FBSM）的模块化多电平变换器（UC-FB-MMC）具有高功率密度、直流故障清除能力及动态直流电压调节能力。本文分析了在桥臂电流单向性被破坏的极端工况下，UC-FB-MMC的穿越能力，为该拓扑在新型直流应用中的稳定运行提供了理论支撑。
解读: 该研究探讨的UC-FB-MMC拓扑具备直流故障清除能力，与阳光电源的储能系统（如PowerTitan系列）及大型光伏并网系统中的直流侧保护技术具有一定的技术关联性。虽然目前主流产品多采用常规MMC或组串式架构，但该拓扑在高压直流输电及大型储能直流侧的应用潜力值得关注。建议研发团队关注其在极端工况下的...
关于级联H桥静止同步补偿器
CHB-StatCom）电容纹波电压的再思考：设计视角下的纹波效应观察、建模、分析与应用
Qianhao Sun · Qiang Song · Biao Zhao · Zhanqing Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
本文揭示并研究了级联H桥静止同步补偿器（CHB-StatCom）中电容纹波电压产生基频输出交流电压的“纹波效应”现象。文章提出了该效应的观察方法，解释了其产生机理，并从设计视角对该效应进行了建模与分析，为优化系统性能提供了理论支撑。
解读: 该研究针对级联H桥（CHB）拓扑的纹波效应分析，对阳光电源在大功率SVG（静止无功发生器）及高压大功率储能变流器（PCS）的设计具有重要参考价值。CHB拓扑常用于高压电网侧储能及电能质量治理设备，电容电压纹波直接影响输出波形质量及系统稳定性。通过该文提出的建模与分析方法，研发团队可更精准地优化电容选...
基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器
1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC
Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文展示了一种基于单片集成氮化镓（GaN-on-Sapphire）二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白，验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。
解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破，对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域，随着功率密度的不断提升，传统硅基器件已接近性能瓶颈，引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该...
双芯片封装碳化硅肖特基势垒二极管的浪涌电流能力
Surge Current Capability of Dual-Chip Packaged SiC Schottky Barrier Diodes
Bin Zhang · Hongliang Zhang · Zi'ang Zhao · Qiang Liu 等11人 · Journal of Electronic Packaging · 2026年2月 · Vol.148
浪涌电流能力是SiC肖特基二极管在功率变换器中应用的关键参数。本文对比单芯片与双芯片封装SiC SBD的非重复浪涌电流能力，发现相同功率下双芯片方案更具优势；并基于电热耦合模型实现高精度预测（误差<2.8%），验证了模型工程适用性。
解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中SiC功率模块的浪涌鲁棒性设计。双芯片封装结构可提升直流侧防雷/短路工况下的瞬态耐受能力，建议在下一代1500V+高压平台产品中优先导入该封装方案，并结合iSolarCloud平台集成电热模型实现实时寿命评估。...
用于4-DOF无轴承开关磁阻电机分相电容电压偏差消除的磁通平衡控制
Magnetic-Flux Balance Control to Eliminate Voltage Deviation on Split Phase Capacitor for 4-DOF Bearingless SRM
Qiang Cui · Xin Cao · Zhiquan Deng · Xu Deng 等5人 · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2025年9月
四自由度（4-DOF）12/4 无轴承开关磁阻电机（BSRM）通常需要 48 个功率器件、24 个电流传感器和 2 个微芯片才能同时实现旋转和悬浮。为减少系统中使用的功率器件和传感器数量，采用了分相变换器和复用传感器方法。然而，由于悬浮电流不一致，两个分相电容会出现显著的电压偏差，这会降低悬浮性能。因此，本文提出一种磁通量平衡控制（MFBC）方法来解决这一问题。该方法通过限制每一相所有绕组的总电流来形成平衡的偏置磁通量。通过平衡两个分相电容的放电深度，消除了电压偏差，确保了稳定的悬浮运行。此外，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对四自由度无轴承开关磁阻电机的磁通平衡控制技术具有重要的参考价值。该技术通过分相电容器和多路复用传感器方法，将系统所需的功率器件从48个大幅削减，同时减少了电流传感器和控制芯片的使用，这与我们在光伏逆变器和储能变流器领域追求的高功率密度、低成本化方向高度契合。 该论...