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光伏发电技术 SiC器件 ★ 5.0

MoS2/SiC异质结的能带对齐及其超高整流比和光伏效应

Band alignment of MoS2/SiC heterojunctions with ultrahigh rectifying ratio and photovoltaic effect

Binbin Ding · Qian Liu · Yu Zhou · Boyi Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文研究了MoS2/SiC异质结的能带对齐特性,该结构表现出极高的整流比和显著的光伏效应。通过精确调控界面特性,实现了优异的电学性能和光响应特性。实验结果表明,该异质结具有清晰的能带偏移和良好的载流子分离效率,在可见光至近红外波段展现出高效的光电转换能力。该研究为二维/宽禁带半导体异质结构在高性能光电器件中的应用提供了重要依据。

解读: 该MoS2/SiC异质结研究对阳光电源SiC功率器件应用具有重要参考价值。超高整流比特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET性能,降低反向漏电流,提升系统效率。能带工程方法为功率模块界面优化提供理论依据,可改善器件开关特性和热稳定性。光伏效应研究启发在三电平拓扑中探索...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于结构函数法与静态-脉冲I–V测量的射频HEMT用GaN-on-Si材料热阻优化

Thermal resistance optimization of GaN-on-Si materials for RF HEMTs based on structure function method and static-pulsed I–V measurements

Qingru Wang · Yu Zhou · Xiaozhuang Lu · Xiaoning Zhan · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

针对射频高电子迁移率晶体管(RF HEMT)应用的GaN-on-Si材料,提出一种结合结构函数法与静态-脉冲I–V测量的热阻优化方法。通过提取不同器件结构下的瞬态热响应,利用结构函数分析热阻抗分布特征,识别主要热瓶颈。结合静态与脉冲I–V特性测量,量化自热效应并评估有效热阻。据此优化外延层结构与衬底工艺,显著降低器件热阻,提升散热性能与可靠性,为高性能GaN基射频器件的设计与制造提供指导。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用有重要参考价值。结构函数法与静态-脉冲I-V测量相结合的热阻优化方法,可直接应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的GaN功率模块设计。通过优化外延层结构与衬底工艺,可显著提升GaN器件散热性能,有助于实现更高功率密度的产品设计。这对提高阳光电源新一代1500...

拓扑与电路 充电桩 储能变流器PCS 双向DC-DC ★ 5.0

一种无升压电感、无电解电容的单级双向隔离式AC-DC变换器

A Boost-Inductorless Electrolytic-Capacitorless Single-Stage Bidirectional Isolated AC–DC Converter

Yutan Zhang · Wendi Song · Weijie Hua · Guoce Li 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

随着宽禁带器件的发展,双向隔离式AC-DC变换器成为电动汽车充电和储能应用中实现高功率密度和高效率的理想方案。针对现有单级或两级变换器中升压电感循环电流损耗大的问题,本文提出了一种新型拓扑,通过去除升压电感和电解电容,显著提升了系统的紧凑性和可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)具有重要参考价值。通过去除升压电感和电解电容,不仅能有效减小PCS模块的体积,提升功率密度,还能规避电解电容寿命瓶颈,显著增强系统在极端环境下的可靠性。建议研发团队评估该拓扑在中小功率充电桩及户用储能PCS中的...

拓扑与电路 LLC谐振 光伏逆变器 双向DC-DC ★ 5.0

一种用于实现光伏系统自适应功率流调节的电感耦合三端口谐振变换器

An Inductive Coupled Three-Port Resonant Converter to Achieve Adaptive Power Flow Adjustment for PV Systems

Ting Qian · Xuefan Yu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

本文提出了一种用于独立光伏系统的三端口LLC变换器拓扑。通过设计组合式三端口LLC结构优化功率流路径,并利用多开关桥臂合并部分电路以降低成本。该方案通过两个电感耦合谐振槽路,实现了光伏系统功率流的自适应调节,有效提升了系统转换效率。

解读: 该研究提出的三端口LLC拓扑与阳光电源的户用光伏及光储一体化产品线高度契合。通过多端口集成和功率路径优化,该技术可显著提升阳光电源户用储能系统(如iSolar系列)在光伏与电池充放电切换过程中的转换效率,并降低硬件成本。建议研发团队关注该拓扑在多输入场景下的控制策略,探索其在小型化、高功率密度光储逆...

拓扑与电路 光储一体化 双向DC-DC LLC谐振 ★ 5.0

一种基于可调电感耦合辅助谐振的宽范围运行改进型三端口光伏变换器

An Improved Three-Port Resonant PV Converter for Wide Range Operation Based on Adjustable Inductor Coupling Assisted Resonance

Ting Qian · Xuefan Yu · Yajing Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

本文提出了一种提升独立光伏系统效率的简单方案。通过将谐振电感与电池管理系统的滤波电感耦合,在不影响其他功能的前提下,有效调节了隔离式功率变换(如LLC)的谐振状态,从而实现了宽范围运行下的高效率转换。

解读: 该技术对阳光电源的户用及工商业光储一体化产品线(如PowerStack、ST系列PCS)具有重要参考价值。通过电感耦合优化LLC谐振状态,可显著提升系统在电池电压波动范围较大时的转换效率,降低变换器损耗。建议研发团队评估该拓扑在多端口能量管理中的集成可行性,以进一步优化光储系统的功率密度和热管理性能...

控制与算法 储能系统 储能变流器PCS 构网型GFM ★ 5.0

用于可再生能源发电快速惯量仿真的超级电容器内阻抑制技术

Supercapacitor Internal Resistance Mitigation for Rapid Inertia Emulation of Renewable Power Generation

Zhaoshun Deng · Jiebei Zhu · Lujie Yu · Qian Xiao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

利用超级电容器进行惯量仿真(INEC)是提升低惯量电网频率稳定性的有效手段。然而,超级电容器固有的内阻(IR)会降低惯量响应的速度与精度。本文提出了一种针对性的补偿方案,以缓解内阻带来的负面影响,优化可再生能源系统的频率支撑性能。

解读: 该研究直接服务于阳光电源PowerTitan和PowerStack等储能系统产品线。随着电网对构网型(GFM)技术要求的提高,储能系统需具备更强的惯量支撑能力。超级电容器内阻补偿算法可显著提升PCS在毫秒级频率响应中的动态性能和控制精度。建议研发团队将该内阻抑制策略集成至储能变流器控制算法中,以优化...

拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 故障诊断 ★ 5.0

一种用于三相逆变器的闭环补偿罗氏线圈电流传感器

A Closed-Loop Compensated Rogowski Coil Current Sensor for Three-Phase Inverter

Zhen Xin · Yu Yao · Jianlong Kang · Qian Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

精确的电流测量对于电力电子变换器的故障保护和电流控制至关重要。PCB罗氏线圈电流传感器(PCB RCCS)因其高带宽、体积小、成本低等优势成为强有力的竞争方案。本文针对其运行中存在的偏置电压和偏置电流问题,提出了一种闭环补偿方案以提升测量精度。

解读: 电流采样是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)的核心环节。该技术提出的PCB罗氏线圈闭环补偿方案,能有效解决传统电流传感器在宽频带下的偏置漂移问题,显著提升逆变器在复杂电网环境下的控制精度与故障保护响应速度。建议研发团队评估该方案在提升高...

光伏发电技术 MPPT 光伏逆变器 组串式逆变器 ★ 5.0

半切光伏组件的局部遮荫损耗:实验、电路仿真与解析损耗函数

Partial Shading Losses in Half-Cut PV Modules: Experiments, Circuit Simulation, and an Analytical Loss Function

Jing-Wu Dong · Jyun-Guei Huang · Yu-Min Lin · Kuan-Wei Lee 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年12月 · Vol.16

本研究提出一种量化商用半切晶硅光伏组件局部遮荫损耗的集成方法,通过室内实验获取440W半切组件I-V数据,校准LTspice电路模型,并构建可解析预测遮荫功率损耗的函数,经实证拟合后精度高,适用于串联型半切组件系统设计与性能评估。

解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器(如SG系列)在复杂屋顶/山地场景下的MPPT算法优化与遮荫适应性提升。其解析损耗函数可嵌入iSolarCloud平台实现精细化发电量预测,并指导ST系列PCS在光储混合系统中对半切组件阵列的动态功率协调。建议将该模型集成至逆变器固件级阴影识别模块,增强多路MPPT...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于电力电子封装的铜/功能化多壁碳纳米管复合浆料的低温烧结

Low-Temperature Sintering of Cu/Functionalized Multiwalled Carbon Nanotubes Composite Paste for Power Electronic Packaging

Lingmei Wu · Jing Qian · Fusheng Zhang · Jiabing Yu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

烧结铜因其低温键合和高温工作能力,被视为芯片互连最有前景的方案。本文通过烧结铜浆料及复合材料,实现了高强度的铜-铜接头及IGBT器件封装,进一步优化了现有烧结铜技术的性能,提升了功率电子封装的可靠性。

解读: 该技术直接关联阳光电源的核心产品线,特别是组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的功率模块封装。随着功率密度不断提升,IGBT/SiC模块的互连可靠性成为系统寿命的关键瓶颈。该低温烧结技术能有效降低封装应力,提升模块在极端工况下的热循环能力。建议研发部门关注...

拓扑与电路 多电平 故障诊断 可靠性分析 ★ 4.0

模块化多电平变换器子模块故障诊断与容错控制方法综述

Review of Fault Diagnosis and Fault-Tolerant Control Methods of the Modular Multilevel Converter Under Submodule Failure

Qian Xiao · Yu Jin · Hongjie Jia · Yi Tang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

模块化多电平变换器(MMC)因其模块化结构和优异的谐波性能,在交流和直流转换应用中备受关注。然而,大量的功率开关增加了子模块(SM)故障的风险,这对MMC的安全可靠运行提出了巨大挑战。本文详细综述了MMC在子模块故障下的故障诊断与容错控制方法。

解读: MMC拓扑在阳光电源的高压大功率储能系统(如PowerTitan系列)及大型光伏并网系统中具有重要应用潜力。随着系统容量向高压化、大功率化发展,MMC的可靠性直接影响电站的运维成本。本文提出的故障诊断与容错控制策略,可优化iSolarCloud智能运维平台对变换器内部状态的实时监测能力,降低因单点故...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

1.2kV平面型与沟槽型SiC MOSFET体二极管重复脉冲电流应力下的退化研究

Investigation on Degradation of 1.2-kV Planar and Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Pulse Current Stress of Body Diode

Hengyu Yu · Michael Jin · Jiashu Qian · Monikuntala Bhattacharya 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

本文首次实验研究了1.2kV商用SiC MOSFET(平面栅、增强对称沟槽及非对称沟槽结构)的体二极管可靠性。通过提出的重复脉冲电流测试平台,在保证热限制的前提下实现了高电流测试。研究揭示了不同结构SiC MOSFET在体二极管导通应力下的退化机理,为功率器件选型与可靠性设计提供了重要参考。

解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及电动汽车充电桩的核心功率器件。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用已成主流。本文针对不同结构SiC MOSFET体二极管在重复脉冲下的退化研究,对公司优化逆变器及PCS的死区时...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

一种基于级联H桥变换器储能系统的新型容错运行方法以避免过充

A Novel Fault-Tolerant Operation Approach for Cascaded H-Bridge Converter-Based Battery Energy Storage Systems to Avoid Overcharge

Qian Xiao · Haolin Yu · Yu Jin · Hongjie Jia 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年11月

摘要:基于传统基频零序电压(FFZSV)注入的容错运行方法,在低功率因数且子模块(SM)发生故障的情况下会导致功率反转,这使得基于级联 H 桥变流器的电池储能系统(CHB - BESS)存在过充风险。为解决这一问题,本文为 CHB - BESS 提出了一种新型容错运行方法。首先,分析了基于传统 FFZSV 注入方法的功率反转机理和过充风险。在此基础上,根据安全的 FFZSV 注入区域将 CHB - BESS 的运行状态划分为三个阶段,对 FFZSV 进行修正,并在必要时注入负序电流。这样,三相电...

解读: 从阳光电源储能系统业务视角来看,这项针对级联H桥变换器的容错运行技术具有重要的工程应用价值。级联H桥拓扑是阳光电源中高压储能系统的核心架构之一,其模块化设计在提升系统可靠性的同时,也带来了子模块故障时的功率管理难题。 该论文揭示的关键问题——低功率因数工况下传统零序电压注入方法导致的功率反向和过充...

储能系统技术 储能系统 储能变流器PCS GaN器件 ★ 5.0

室温下电注入的GaN基光子晶体表面发射激光器

Room-temperature electrically injected GaN-based photonic-crystal surface-emitting lasers

Tong Xu1Meixin Feng2Xiujian Sun2Rui Xi2Xinchao Li2Shuming Zhang2Qian Sun2Xiaoqi Yu3Kanglin Xiong3Hui Yang4Xianfei Zhang5Zhuangpeng Guo5Peng Chen5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46

光子晶体表面发射激光器(PCSELs)利用二维光子晶体的布拉格衍射实现高功率、低发散角的单模输出,近年来受到广泛关注[1-3]。2023年,京都大学报道了基于GaAs的945 nm PCSEL,在连续波(CW)工作模式下单模输出功率超过50 W,光束发散角窄至0.05°,亮度达到1 GW·cm⁻²·sr⁻¹,可与传统大体积激光器相媲美[4]。

解读: 该GaN基光子晶体表面发射激光器技术对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。虽然研究聚焦光电子领域,但其电注入结构设计、热管理方案及GaN材料的高温稳定性特性,可为ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率模块散热优化提供借鉴。特别是其室温连续工作能力验证了GaN器件在高功率密度应用中...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

具有非钳位感性开关和紫外脉冲激光辐照下抗浪涌能量能力的高鲁棒性p-GaN栅极HEMT

Highly Robust p-GaN Gate HEMT With Surge-Energy Ruggedness Under Unclamped Inductive Switching and UV Pulse Laser Irradiation

Feng Zhou · Tianyang Zhou · Can Zou · Rong Yu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

非雪崩型 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)对于动态过电压( ${V}_{\text {over.}}\text {)}$ )和瞬态浪涌能量( ${E}_{\text {sur.}}\text {)}$ )冲击的鲁棒性对于器件应用至关重要,尤其对于高功率开关应用而言。在本研究中,通过精心构建从漏极到源极的能量耗散通道,所提出的器件成功具备了承受动态过电压并安全耗散浪涌能量的能力,实现了 1.85 kV 的最大动态过电压( ${V}_{\text {over.}}$ )和 11.7 ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项p-GaN栅极HEMT器件的鲁棒性突破具有重要战略意义。该技术在非雪崩模式下实现了1.85kV的动态过压承受能力和11.7 J/cm²的浪涌能量耐受度,这一性能指标直接契合我们光伏逆变器和储能变流器在实际工况中面临的关键痛点。 在光伏逆变器应用中,电网扰动、雷击浪涌和...

风电变流技术 ★ 5.0

基于数据驱动振荡模式预测的风电并网系统谐振抑制方法

Data-Driven Oscillation Mode Prediction Based Resonance Mitigation Scheme for Wind Turbine Generators Connected Power System

Lujie Yu · Jiong Ding · Jiebei Zhu · Heyu Luo 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年5月

本文提出了一种数据驱动的振荡模式预测(DOMP)模型,旨在减轻风力发电机(WTG)接入电力系统中的潜在模态谐振问题,而无需建立复杂的状态空间分析模型。该方法首先对历史运行场景下的系统振荡模式进行识别和聚类,以提供高质量的训练数据。然后,采用深度极限学习机算法对DOMP模型进行训练,将场景信息作为输入,已识别的振荡模式作为输出。基于DOMP预测的振荡模式,对WTG控制参数进行优化,以防止潜在的模态谐振,并提高系统在未来不确定场景下的小信号稳定性。通过对改进的IEEE 39节点和IEEE 118节点...

解读: 该数据驱动振荡预测技术对阳光电源的风电变流器和储能产品具有重要应用价值。可直接应用于ST系列储能变流器的并网控制,提升大规模储能电站的谐振抑制能力;也可集成到SG系列逆变器的GFM/GFL控制中,增强新能源并网系统稳定性。该方法无需精确建模,通过机器学习实现在线预测和自适应控制,契合阳光电源在智能化...

光伏发电技术 SiC器件 工商业光伏 ★ 4.0

基于恒压与脉冲电压的商用碳化硅MOSFET时间相关介质击穿研究

Investigation of Time-Dependent Dielectric Breakdown on Commercial SiC MOSFETs Using Constant-Voltage and Pulse-Voltage

Michael Jin · Hengyu Yu · Monikuntala Bhattacharya · Jiashu Qian 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

本研究在150°C条件下,采用脉冲电压时变介质击穿(PV - TDDB)和恒压时变介质击穿(CV - TDDB)方法,估算了两代商用平面碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的本征栅极氧化物寿命。与传统的恒压时变介质击穿(CV - TDDB)方法相比,所提出的PV - TDDB方法在相同的氧化物电场下预测的寿命显著更长,且估算的寿命更接近实际工作寿命。此外,分析了两种条件下的栅极泄漏电流行为。研究了栅极氧化物中的电荷俘获对栅极泄漏电流和寿命的影响,以及高频栅极电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于SiC MOSFET栅氧化层时间相关介质击穿(TDDB)的研究具有重要的工程应用价值。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能系统中的核心元件,其可靠性直接影响产品的全生命周期性能和市场竞争力。 该研究的核心价值在于提出了脉冲电压TDDB测试方法(PV-TDDB),相...

电动汽车驱动 三相逆变器 ★ 5.0

一种用于三相逆变器的闭环补偿罗氏线圈电流传感器

A Closed-Loop Compensated Rogowski Coil Current Sensor for Three-Phase Inverter

Zhen Xin · Yu Yao · Jianlong Kang · Qian Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

精确的电流测量对于电力电子变换器实现故障保护和电流控制至关重要。在众多可选方案中,印刷电路板罗氏线圈电流传感器(PCB RCCS)凭借其带宽更高、体积更小、成本更低等优势,成为有力的竞争者。然而,运算放大器中的失调电压和失调电流极大地限制了PCB RCCS的测量精度,并且受运算放大器个体差异和温度变化的影响较大。传统的误差补偿方法缺乏自调节能力,导致补偿效果存在显著局限。本文提出了一种闭环误差补偿方法,该方法能够在实际运行条件下实时监测补偿效果,及时调整补偿信号,实现对PCB RCCS积分误差的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于闭环补偿的PCB罗氏线圈电流传感器技术具有显著的应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,精确的电流测量直接关系到系统的功率控制精度、效率优化和安全保护性能。 该技术的核心创新在于解决了传统PCB罗氏线圈因运放失调而导致的积分误差问题。通过实时监测和动态调整...

风电变流技术 ★ 5.0

考虑地形坡度和风机位置影响的二维山丘上风力机尾流特性的风洞研究

Wind tunnel study of wind turbine wake characteristics over two-dimensional hill considering the effects of terrain slope and turbine position

Yao Chen · Bowen Yan · Meng Yu · Guoqing Huang 等8人 · Applied Energy · 2025年2月 · Vol.380

摘要 风电场中风机之间的尾流干扰会导致风电场整体发电功率显著下降。本研究通过系统的风洞试验,对在不同坡度的二维山丘上处于不同位置的风力机尾流特性进行了研究,其中风力机轮毂高度与山丘高度相同,均为250 mm,转子直径为400 mm。首先,提出了一种新的归一化方法,用于公平评估风力机在山丘不同位置处的尾流速度亏损。研究发现,位于山顶的风力机尾流受地形影响显著大于位于山前或山后的风力机。随后,系统分析了地形对风力机尾流的影响,包括速度亏损和附加湍流强度。山丘坡度主要影响风力机背风侧的尾流特性:当风力...

解读: 该风电尾流研究对阳光电源复杂地形风电场储能系统配置具有重要参考价值。研究揭示的山地地形对尾流特性的影响规律,可指导ST系列储能变流器在山地风电场的微观选址与容量优化配置。针对陡坡山顶尾流恢复快、缓坡尾流扩散宽的特性,可优化PowerTitan储能系统的功率平抑策略,通过iSolarCloud平台实时...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

基于人工表面等离激元的小型化高共模抑制平衡式滤波功分器

Compact Balanced Filtering Power Divider With High Common Mode Suppression Level Using Spoof Surface Plasmon Polaritons

Yi Song · Jiehao Yu · Qian Yang · Mengran Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年1月

本文基于类表面等离子体激元(SSPPs)提出了一种具有可控截止频率的紧凑型超宽带平衡滤波功分器(FPD)。首先,为实现尺寸小型化,采用工字形微带结构设计了一种紧凑型 SSPP 单元,并对其色散特性进行了分析。其次,利用微带 - 槽线(MTS)过渡馈电结构和 T 形槽线结构设计了一种具有高共模(CM)抑制水平的平衡高通功分器(PD)。MTS 过渡馈电结构实现了差模(DM)高通响应和高共模抑制水平,T 形槽线结构实现了功率分配功能。然后,将平衡高通 PD 与低通 SSPP 结构相结合,设计了一款中心...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于仿表面等离激元(SSPP)的平衡滤波功分器技术在电磁兼容和信号处理层面具有一定的参考价值,但与公司核心业务的直接关联度有限。 该技术的核心创新在于通过I型微带结构实现小型化设计,并利用微带-槽线转换和T型槽线结构实现差模高通响应和高达35dB的共模抑制。对于阳光电...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

通过层状C/Fe掺杂GaN缓冲层提升GaN HEMT的击穿电压和射频功率特性

Improved Breakdown Voltage and RF Power Characteristics of GaN HEMTs by Layered C/Fe-Doped GaN Buffer

Qian Yu · Meng Zhang · Ling Yang · Zou Xu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

本文提出了一种创新的层状氮化镓(GaN)缓冲层结构。该结构上层为低浓度碳(C)掺杂层,下层为铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)中常用的铁(Fe)掺杂氮化镓缓冲层。在抑制铁掺杂拖尾效应的同时,氮化镓高电子迁移率晶体管的击穿电压从128 V提高到了174 V。由于铁掺杂拖尾效应得到抑制,晶体管的迁移率和跨导( $\text {g}_{m}\text {)}$ )也得到显著改善。 ${5}\times {10}^{{16}}$ /cm³的碳掺杂浓度不会明显加剧氮化镓高电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于分层C/Fe掺杂GaN缓冲层的HEMT技术突破具有重要的战略价值。该技术通过创新的双层掺杂结构,将器件击穿电压从128V提升至174V,同时显著改善了跨导和载流子迁移率,这对我们在高功率密度逆变器和储能变流器领域的产品升级具有直接意义。 在光伏逆变器应用中,更高的...

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