找到 2 条结果
基于局部屏蔽技术的氮化镓功率逆变桥EMI抑制
EMI Mitigation of GaN Power Inverter Leg by Local Shielding Techniques
Pawel B. Derkacz · Jean-Luc Schanen · Pierre-Olivier Jeannin · Piotr J. Chrzan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种应用于半桥逆变桥的局部屏蔽技术，旨在降低转换器直流输入端的共模（CM）电流噪声。研究针对650V增强型氮化镓（GaN）功率晶体管开关展开，识别了逆变桥中点节点寄生电容的主要来源，并验证了屏蔽方案在抑制EMI方面的有效性。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、高开关频率演进，GaN器件的应用成为提升效率的关键。该研究提出的局部屏蔽技术能有效解决高频开关带来的EMI挑战，有助于优化逆变器PCB布局及滤波器设计，减小系统体积。建议在下一代高频户用逆变器及小型化储能PCS研发中引入此类电磁兼容设计方法，以满足...
准谐振直流环节逆变器中共模电压与轴承电流的抑制
Reducing Common-Mode Voltage and Bearing Currents in Quasi-Resonant DC-Link Inverter
Marek Turzynski · Piotr J. Chrzan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文提出一种并联准谐振直流环节逆变器（PQRDCLI），通过在直流环节引入两个晶体管开关，实现逆变器与主电源的电气隔离。研究重点在于验证该拓扑在抑制高频共模电压和电机轴承电流方面的优势，从而提升电机驱动系统的可靠性。
解读: 该研究关注的共模电压抑制与轴承电流保护技术，对阳光电源的工业驱动及大功率光伏/风电变流器具有参考价值。虽然阳光电源目前主营业务侧重于光伏逆变器与储能系统，但随着产品向高功率密度和高开关频率发展，电磁兼容性（EMC）和轴承电流问题日益突出。该拓扑中利用直流环节开关实现隔离的思路，可为公司在研发高性能工...