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一种用于移相全桥变换器共模传导EMI抑制的新型驱动电源配置
A New Gate Drive Power Supply Configuration for Common Mode Conducted EMI Reduction in Phase-Shifted Full-Bridge Converter
Luciano F. S. Alves · Pierre Lefranc · Pierre-Olivier Jeannin · Benoit Sarrazin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
本文提出了一种级联驱动电源配置，旨在降低移相全桥（PSFB）变换器中的共模（CM）电流。PSFB变换器中存在多个由驱动电源及控制信号隔离单元的寄生电容引起的dV/dt源，该配置通过优化驱动电源结构，有效抑制了这些寄生路径产生的共模干扰。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重要价值。移相全桥（PSFB）拓扑广泛应用于阳光电源的组串式逆变器DC-DC级以及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的隔离DC-DC环节。随着功率密度提升和开关频率增加，EMI问题已成为产品认证和电磁兼容设计的难点。该级联驱动电源配置方案能...
通过关断延迟调节实现多个串联SiC MOSFET的主动电压均衡
Active voltage balancing by turn-off delays regulation for multiple series-connected SiC MOSFETs
Cédric Mathieu de Vienne · Pierre Lefranc · Pierre-Olivier Jeannin · Bruno Lefebvre 等5人 · IET Power Electronics · 2025年1月 · Vol.18
本文提出了一种针对N个串联SiC MOSFET堆栈的主动电压均衡方法，通过基于实时电压反馈精确调节各器件的关断延迟时间来实现动态电压平衡。该方法无需额外的均衡电路，仅利用驱动时序控制即可有效抑制串联MOSFET在开关过程中出现的电压不均问题。仿真与实验均在采用三个650 V SiC MOSFET构成的Buck变换器平台上验证了该策略的有效性。
解读: 该主动电压均衡技术对阳光电源高压功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列1500V光伏逆变器中，多个SiC MOSFET串联可突破单管耐压限制，实现更高电压等级和更低损耗。该方法通过驱动时序控制实现动态均压，无需额外均衡电路，可简化PowerTitan等大型储能系统的功率模块设计，降...
基于局部屏蔽技术的氮化镓功率逆变桥EMI抑制
EMI Mitigation of GaN Power Inverter Leg by Local Shielding Techniques
Pawel B. Derkacz · Jean-Luc Schanen · Pierre-Olivier Jeannin · Piotr J. Chrzan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种应用于半桥逆变桥的局部屏蔽技术，旨在降低转换器直流输入端的共模（CM）电流噪声。研究针对650V增强型氮化镓（GaN）功率晶体管开关展开，识别了逆变桥中点节点寄生电容的主要来源，并验证了屏蔽方案在抑制EMI方面的有效性。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、高开关频率演进，GaN器件的应用成为提升效率的关键。该研究提出的局部屏蔽技术能有效解决高频开关带来的EMI挑战，有助于优化逆变器PCB布局及滤波器设计，减小系统体积。建议在下一代高频户用逆变器及小型化储能PCS研发中引入此类电磁兼容设计方法，以满足...
一种基于新型自激振荡器的甚高频自激逆变器
A Very High Frequency Self-Oscillating Inverter Based on a Novel Free-Running Oscillator
Rawad Makhoul · Jia Zhuang · Xavier Maynard · Pierre Perichon 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
本文介绍了一种基于自激振荡器的甚高频（VHF）Φ2类逆变器。Φ2类拓扑具有低电压应力、快速瞬态响应和单开关管的特点，非常适合VHF应用。随着GaN技术的进步，功率变换器向更高开关频率发展已成为趋势，该研究为实现高效高频功率转换提供了新路径。
解读: 该研究聚焦于甚高频（VHF）功率变换技术，对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。通过引入GaN器件与Φ2类拓扑，可显著提升功率密度并减小磁性元件体积，助力产品小型化与轻量化。建议研发团队关注该自激振荡控制策略在小功率高频变换场景下的应用，以提升转换效率并降低系统成本，从而在户...
用于栅极驱动隔离信号传输的巨磁阻抗传感器
Giant Magneto-Impedance Sensor for Gate Driver-Insulated Signal Transmission Functions
Yohan Wanderoild · Aktham Asfour · Pierre Lefranc · Pierre-Olivier Jeannin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种利用巨磁阻抗（GMI）传感器实现高隔离电压下信号传输的概念验证。该技术首次应用于栅极驱动单元，具备极低的耦合电容（<1 pF）和高达40 kV/mm的高绝缘电压能力，为功率电子设备的驱动隔离提供了新的技术路径。
解读: 该技术对阳光电源的高压大功率产品线（如PowerTitan储能系统、集中式光伏逆变器及风电变流器）具有重要参考价值。在超高压应用场景下，传统的磁耦或光耦隔离方案在抗干扰能力和绝缘等级上存在瓶颈，GMI传感器极低的耦合电容有助于提升系统在高频开关下的共模噪声抑制能力，从而提高功率模块的可靠性。建议研发...