Cristian Matei · Jonas Urbonas · Haris Votsi · Dustin Kendig 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

为了实现可靠性预测，氮化镓（GaN）晶体管需要精确的峰值工作温度估计。本文提出了一种基于热反射技术的温度测量新方法，应用于GaN高电子迁移率晶体管。该测量系统具备亚微米空间分辨率和纳秒级时间分辨率，能够实现对高频开关条件下器件热特性的精确捕捉。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，高频化（MHz）已成为技术演进趋势。GaN器件作为宽禁带半导体的代表，是实现高频、高效率设计的关键。本文提出的热反射测量技术为GaN器件在极端高频工况下的热设计提供了高精度验证手段，有助于优化阳光电源组串式逆变器及微型逆变器的散...