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具有超薄势垒结构的6英寸高压GaN基增强型HEMT：界面质量及其可靠性
6-in. high-voltage GaN-based E-mode HEMTs with ultrathin barrier structures: Interface quality and its reliability
Nan Sun · Ronghua Wang · Runxin Microelectronics Corporation · Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Corporation 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126
本文报道了基于6英寸硅衬底的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管（E-HEMT），采用超薄势垒层结构。通过优化界面控制与材料生长工艺，显著提升了异质结界面质量，有效降低了界面态密度并改善了二维电子气特性。器件表现出优异的击穿电压与导通电阻平衡特性，并在高温反向偏压应力下展现出良好的长期可靠性，界面退化机制被系统分析。该研究为高性能、高可靠GaN功率器件的规模化制造提供了技术支撑。
解读: 该研究的超薄势垒GaN E-HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。6英寸晶圆规模化制造工艺可降低GaN器件成本,有利于在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中推广应用。优化的界面质量和可靠性特性可提升产品在高温、高压工况下的稳定性,特别适合PowerTitan等大功率储能系统。器件优异...
死区时间内自适应同步整流导通时间控制以改善LLC谐振变换器轻载性能
Adaptive Synchronous Rectifier On-Time Control Within Dead-Time for Improving Light-Load Performance of LLC Resonant Converters
Chenghao Sun · Qiuye Sun · Tianhua Zhu · Rui Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
LLC谐振变换器在轻载下表现出非单调电压增益特性，可能导致传统脉冲频率调制（PFM）策略失效，并因开关频率过高导致效率下降。为此，本文提出了一种在死区时间内进行自适应同步整流（SR）导通时间控制的方法，以实现LLC变换器电压增益的归一化，从而优化轻载效率。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如ST系列PCS）具有重要参考价值。在户用及工商业场景中，设备常处于轻载运行状态，LLC拓扑作为DC-DC级核心，其轻载效率直接影响整机能效指标。通过引入死区内的自适应SR控制，可有效抑制轻载下的频率漂移，提升系统在宽负载范围内的转换效率。建议研发团队在下...
基于自适应准谐振扩展状态观测器的新型矩阵转矩分量电机解耦电流控制
Decoupled Current Control Using Adaptive Quasi Resonant-Based ESO for Novel Matrix-Torque-Component Machines
Shaofeng Jia · Dongxu Yang · Pengcheng Sun · Deliang Liang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
本文针对一种新型矩阵转矩分量电机（MTCM）提出了一种电流环解耦控制方法。该方法基于自适应准谐振扩展状态观测器（AQRESO），有效解决了MTCM定转子绕组与永磁体布置带来的复杂耦合问题，显著提升了电流控制的动态性能与鲁棒性。
解读: 该研究聚焦于电机驱动的先进控制算法，虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，与该文研究的特定电机拓扑（MTCM）直接关联度有限，但其提出的基于AQRESO的解耦控制策略在处理复杂多变量耦合系统方面具有参考价值。建议研发团队关注该算法在风电变流器电机侧控制或未来高功率密度电机驱...
串联晶闸管脉冲电流分析的行为模型
A Behavioral Model for Pulse Current Analysis of Series-Connected Thyristors
Pengcheng Xing · Qingbo Wan · Jie Huang · Heng Zhang 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
高功率脉冲系统常需串联多个晶闸管以承受高电压，但实现脉冲性能最优化的器件数量尚不明确。本文开发了一种串联晶闸管脉冲电流的行为模型，将器件级的电导调制与电路级的行为联系起来，为高压功率器件的串联应用提供了理论支撑。
解读: 该研究聚焦于晶闸管（Thyristor）的串联应用及脉冲特性，虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC MOSFET等全控型功率器件，而非半控型的晶闸管，但该模型中关于“多器件串联均压与电导调制”的分析方法，对于超高压直流输电或特定高...