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并联SiC JFET在正向和反向导通模式下的强制电流均衡研究
Forced Current Balancing of Parallel-Connected SiC JFETs During Forward and Reverse Conduction Mode
Sotirios G. Kokosis · Ioannis E. Andreadis · Georgios E. Kampitsis · Pavlos Pachos 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年2月
本文深入研究了最新一代垂直沟槽型碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）在并联连接下的正向和反向导通特性。通过对增强型和耗尽型SiC JFET的静态与动态特性进行全面分析，探讨了电流均衡、可靠性及相关参数的影响，为高功率密度电力电子变换器的设计提供了理论支撑。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中对高功率密度和高效率的要求不断提升，SiC器件的应用已成为核心竞争力。本文对SiC JFET并联均流特性的研究，对于优化大功率逆变器及PCS模块的功率器件并联方案具有重要参考价值。建议研发团队关注JFET在反向导通模式下的损耗特性，这有助...