Dan Li · Yunhui Mei · Yunchang Xin · Zhiqiao Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

宽禁带功率器件常在高温或高电偏压下运行，严苛环境易导致银基芯片连接材料因电化学迁移（ECM）而早期失效。现有缓解ECM的方法成本高昂且在高温下性能提升有限。本文提出了一种新型纳米结构方案，旨在有效抑制高温环境下烧结银的迁移，提升功率器件的可靠性与寿命。

解读: 该研究直接关联阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器）中功率模块的封装可靠性。随着SiC等宽禁带器件在高性能逆变器中的广泛应用，高温下的芯片连接可靠性成为提升功率密度和寿命的关键。建议研发团队关注该新型纳米结构在烧结工艺中的应用，以优化功率模块在极端工况下的抗电化...