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降低高温运行功率器件中烧结银的迁移
Reducing Migration of Sintered Ag for Power Devices Operating at High Temperature
| 作者 | Dan Li · Yunhui Mei · Yunchang Xin · Zhiqiao Li · Paul K. Chu · Changsheng Ma · Guo-Quan Lu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带功率器件 烧结银 电化学迁移 芯片连接材料 高温运行 可靠性 电力电子 |
语言:
中文摘要
宽禁带功率器件常在高温或高电偏压下运行,严苛环境易导致银基芯片连接材料因电化学迁移(ECM)而早期失效。现有缓解ECM的方法成本高昂且在高温下性能提升有限。本文提出了一种新型纳米结构方案,旨在有效抑制高温环境下烧结银的迁移,提升功率器件的可靠性与寿命。
English Abstract
Wide-bandgap power devices are usually operated at a higher temperature or larger electrical bias and the harsh conditions often lead to early failure of the widely used Ag-based die-attach materials due to electrochemical migration (ECM). Common methods to mitigate ECM tend to be quite costly and can only enhance the performance slightly under high-temperature conditions. In this letter, novel na...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源核心产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器)中功率模块的封装可靠性。随着SiC等宽禁带器件在高性能逆变器中的广泛应用,高温下的芯片连接可靠性成为提升功率密度和寿命的关键。建议研发团队关注该新型纳米结构在烧结工艺中的应用,以优化功率模块在极端工况下的抗电化学迁移能力,从而降低产品现场故障率,提升iSolarCloud运维平台下的全生命周期可靠性表现。