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拓扑与电路 SiC器件 三电平 功率模块 ★ 4.0

中压大功率三电平NPC变换器中串联10 kV SiC JBS二极管的电压不平衡抑制

Mitigating Voltage Imbalance Across Series-Connected 10 kV SiC JBS Diodes in a Medium-Voltage High-Power 3L-NPC Converter

Sanket Parashar · Nithin Kolli · Raj Kumar Kokkonda · Ajit Kanale 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

本文提出了一种RC缓冲电路设计方法,用于解决三电平中点钳位(3L-NPC)变换器中串联10 kV SiC JBS二极管的动态电压不平衡问题。该方法综合考虑了母排电感、二极管结电容不匹配、底板电容及共模电感等因素对电压分布的影响。

解读: 该技术对于阳光电源在高压大功率电力电子变换器(如大型集中式光伏逆变器、高压储能PCS及风电变流器)的研发具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)演进,SiC器件的应用日益广泛。本文提出的RC缓冲电路设计方法,能够有效解决高压串联器件的动态均压难题,提升系统可靠性。建议...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 三相逆变器 ★ 4.0

基于10kV SiC MOSFET的固态变压器三相有源前端变换器系统

A Three-Phase Active-Front-End Converter System Enabled by 10-kV SiC MOSFETs Aimed at a Solid-State Transformer Application

Anup Anurag · Sayan Acharya · Nithin Kolli · Subhashish Bhattacharya 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文探讨了高压碳化硅(SiC)器件在固态变压器中的应用。通过使用10kV SiC MOSFET,可省去复杂的多电平级联结构,简化三相两电平电压源变换器系统,从而提升系统的可靠性与控制简便性。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。10kV SiC器件的应用有望简化高压侧变换器拓扑,减少级联模块数量,从而降低系统复杂度和故障率,提升功率密度。建议研发团队关注超高压SiC器件的封装散热及驱动保护技术,探索其在兆瓦级光储系统中的应用潜力,以...