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一种集成死区控制的栅极驱动器
A Gate Driver With Integrated Deadtime Controller
Romain Grezaud · Francois Ayel · Nicolas Rouger · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月
本文提出了一种集成死区控制的栅极驱动器。在半桥功率变换器中，死区时间对于防止上下管直通至关重要，但过长的死区会增加续流损耗。针对传统隔离变换器中因数字输入传播延迟失配导致无法安全缩短死区的问题，该驱动器通过特定机制实现了死区的精确优化与控制，从而提升变换效率。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要意义。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用，开关频率不断提升，对死区时间的精度要求极高。集成死区控制的驱动器能有效降低开关损耗，提升系统整体转换效率。建议研发团队关注该芯片级集...
用于氮化镓晶体管闭环dv/dt控制的CMOS有源栅极驱动器
CMOS Active Gate Driver for Closed-Loop dv/dt Control of GaN Transistors
Plinio Bau · Marc Cousineau · Bernardo Cougo · Frédéric Richardeau 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
本文介绍了一种全集成CMOS有源栅极驱动器（AGD），旨在控制48V和400V应用中GaN晶体管的高dv/dt。通过提出一种创新技术，该方案在降低高频频谱发射的同时，相比传统方案显著减少了开关损耗。
解读: 随着阳光电源在电动汽车充电桩及高功率密度光伏逆变器中对GaN器件的应用探索，该技术具有重要参考价值。GaN的高开关速度虽能提升效率，但带来的EMI和dv/dt应力是系统设计的难点。本文提出的闭环有源栅极驱动技术，能够平衡开关损耗与电磁兼容性，有助于优化公司下一代高频化充电桩及小型化组串式逆变器的功率...