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SiC与Si二极管的EMI产生特性：反向恢复特性的影响
EMI Generation Characteristics of SiC and Si Diodes: Influence of Reverse-Recovery Characteristics
Xibo Yuan · Sam Walder · Niall Oswald · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年3月
本文研究了碳化硅（SiC）肖特基二极管与传统硅（Si）PIN二极管在电磁干扰（EMI）产生特性上的差异。SiC二极管因无反向恢复电流（RRC）特性，在降低开关损耗的同时，对EMI性能的改善作用是本文分析的核心。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统等产品中全面推进SiC功率器件的应用，理解其EMI特性对优化高频化设计至关重要。SiC器件虽能显著提升效率并减小磁性元件体积，但其高dv/dt带来的EMI挑战需在PCB布局及滤波器设计中重点考量。建议研发团队利用该研究结论，在下一代高功率密度逆...
电压源三电平变换器中的超结MOSFET：动态行为与开关损耗的实验研究
Superjunction MOSFETs in Voltage-Source Three-Level Converters: Experimental Investigation of Dynamic Behavior and Switching Losses
Xibo Yuan · Niall Oswald · Philip Mellor · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年12月
本文通过实验测量，研究了混合技术（硅MOSFET、硅超结MOSFET与碳化硅二极管）三电平中点钳位（NPC）变换器中MOSFET的开关行为与损耗。超结MOSFET凭借低导通电阻和快速开关特性，在实现三相电压源变换器的高效率与高开关频率运行方面具有显著潜力。
解读: 该研究对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，三电平拓扑已成为主流。超结MOSFET与SiC二极管的混合应用方案，可在不显著增加成本的前提下，有效降低开关损耗并提升系统效率。建议研发团队在下一代高频化逆变器设计中，重点评估超结MOSFET在...