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拓扑与电路 三相逆变器 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

利用辅助换相极逆变器在源端实现高频EMI衰减

High-Frequency EMI Attenuation at Source With the Auxiliary Commutated Pole Inverter

Apollo Charalambous · Xibo Yuan · Neville McNeill · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月

快速开关功率变换器是电气化航空的关键技术,但其产生的电磁干扰(EMI)带来了严峻挑战。为满足严格的航空EMI标准,通常需使用笨重的无源滤波器。本文提出一种辅助换相极逆变器拓扑,旨在从源头抑制高频EMI,从而减轻系统重量并缩小体积。

解读: 该研究提出的辅助换相极逆变器拓扑通过在源端抑制EMI,对阳光电源的高功率密度逆变器设计具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向更高开关频率发展,EMI滤波器的体积和重量成为制约功率密度提升的瓶颈。该技术可应用于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器中,在保证电磁兼容性的前提下,进一...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种具有10GHz路径点速率的GaN FET任意波形栅极驱动器全定制设计

Full Custom Design of an Arbitrary Waveform Gate Driver With 10-GHz Waypoint Rates for GaN FETs

Dawei Liu · Harry C. P. Dymond · Simon J. Hollis · Jianjing Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

本文介绍了一种用于GaN FET的数字可编程任意波形栅极驱动器。通过主动栅极驱动技术,该驱动器能够精确塑造功率器件的开关轨迹,从而在不牺牲效率的前提下有效抑制电磁干扰(EMI)。该设计实现了10GHz的路径点速率,为高频电力电子应用提供了极高的控制精度。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和户用储能产品中对功率密度和效率要求的不断提升,GaN器件的应用前景广阔。该研究提出的高频任意波形驱动技术,能够显著优化GaN器件的开关过程,有效解决高频化带来的EMI难题。建议研发团队关注该技术在下一代高频紧凑型逆变器及微型逆变器中的应用,通过精细化的栅极驱动策略,进一步...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种用于GaN FET的6.7-GHz有源栅极驱动器,旨在抑制过冲、振铃和EMI

A 6.7-GHz Active Gate Driver for GaN FETs to Combat Overshoot, Ringing, and EMI

Harry C. P. Dymond · Jianjing Wang · Dawei Liu · Jeremy J. O. Dalton 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年1月

有源栅极驱动技术在Si和SiC功率变换器中已证明能有效优化开关波形。然而,针对亚10ns开关瞬态的GaN器件,现有变参数驱动技术多局限于单次调整。本文提出了一种新型栅极驱动器,通过高频有源控制进一步提升GaN器件在高速开关过程中的EMI抑制能力及波形质量。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提高,GaN器件的应用已成为提升效率的关键。该文献提出的高频有源栅极驱动技术,能够有效解决GaN器件在高速开关过程中带来的电磁干扰(EMI)和电压振铃问题,这对于优化阳光电源新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的PCB布局与电磁兼容...

拓扑与电路 DC-DC变换器 双向DC-DC 功率模块 ★ 5.0

通过能量回收缓冲电路和死区时间优化实现超结5kW DC-DC变换器功率级效率超过99%

Achieving Efficiencies Exceeding 99% in a Super-Junction 5-kW DC–DC Converter Power Stage Through the Use of an Energy Recovery Snubber and Dead-Time Optimization

Andrew N. Hopkins · Plamen Proynov · Neville McNeill · Bernard H. Stark 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月

本文介绍了一种基于超结(SJ)MOSFET的5kW双向DC-DC变换器功率级,工作电压为400V。SJ MOSFET具有低导通电阻和低开关损耗的优势,但其体二极管的反向恢复特性会影响电压源变换器的性能。本文通过引入能量回收缓冲电路和优化死区时间,有效提升了变换效率,使其超过99%。

解读: 该研究对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如ST系列PCS)具有极高的参考价值。在户用储能和组串式逆变器中,DC-DC变换器的效率直接决定了系统的整体能效和散热设计难度。文中提出的能量回收缓冲电路和死区时间优化策略,能够有效降低SJ MOSFET在高频切换下的损耗,有助于进一步缩小产品体积并提升功...