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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有II型能带对齐NiO/AlGaN异质结的p-NiO栅极HEMT中栅极导电机制的研究

Investigation of gate conduction mechanisms in p-NiO gate HEMTs with a type-II band aligned NiO/AlGaN heterojunction

Huaize Liu · Yanghu Peng · Hui Guo · Na Sun 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文研究了基于II型能带对齐NiO/AlGaN异质结的p型NiO栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)中的栅极导电机制。通过分析器件的电学特性与能带结构,揭示了在反向偏压下栅极漏电流的主要输运机制,包括隧穿效应与热发射过程的贡献。研究发现,良好的能带匹配显著抑制了栅极漏电流,提升了器件的栅控能力与击穿特性。该工作为高性能p沟道栅HEMT的设计与优化提供了理论依据与技术支撑。

解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。p-NiO栅极HEMT的栅极漏电流抑制技术可应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率级设计,有助于提升器件开关频率和效率。II型能带对齐的异质结设计思路可优化公司三电平拓扑中GaN器件的性能,特别是在大功率密度场景下的可靠性。这对开...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于电力电子辅助有载分接开关的Sen变压器暂态建模与换流逻辑分析

Transient modeling and switching logic analysis of a power-electronic-assisted OLTC based Sen transformer

Wei Li · Song Han · Xi Guo · Shufan Xi 等6人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.378

本文提出了一种基于电力电子辅助有载分接开关(POLTC)的Sen变压器(POST)的暂态模型及其换流逻辑分析方法。首先,建立了一种考虑晶闸管反向恢复过程(RRP)的晶闸管开关模型。进一步地,通过将所提出的考虑RRP的晶闸管开关模型与考虑多绕组耦合(MWC)效应的Sen变压器(ST)暂态模型相结合,构建了POST的完整暂态模型。其次,根据POLTC的拓扑结构建立了基本换流逻辑。第三,利用所提出的暂态模型对POLTC的换相重叠角(COA)和短路电流(SCC)进行了评估。最后,通过分析不同功率因数条件...

解读: 该POLTC晶闸管换流技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan系统具有重要参考价值。文中提出的晶闸管反向恢复过程建模方法可优化我司PCS功率器件开关策略,换相重叠角分析有助于降低储能系统并网切换时的短路电流冲击。最优开关角选择方法可应用于GFM/GFL控制模式切换,提升不同功率因数下的...