Mohsin Asad · Amit Kumar Singha · Ravada Madhu Sudhan Rao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

氮化镓（GaN）场效应管凭借低导通电阻和低结电容，性能优于硅MOSFET。然而，GaN变换器在反向导通期间存在较高的死区损耗。为提升效率，本文提出了一种用于GaN变换器死区时间优化的简化模型。

解读: GaN器件在阳光电源的高功率密度产品研发中具有重要战略意义。随着户用光伏逆变器和小型储能PCS向轻量化、高频化发展，GaN的应用能显著降低开关损耗并缩小磁性元件体积。本文提出的死区时间优化模型，可直接指导阳光电源研发团队在设计高频DC-DC变换级（如户用光伏及充电桩模块）时，通过精确控制死区来抑制G...