Yashar Azizian-Kalandaragh · Hasan Yeşilyurt · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

本研究采用n型硅（n-Si）晶圆制备了Au/n-Si（C0）、Au/PVC/n-Si（C1）和Au/PVC:钼（Mo）/n-Si（C2）结构，以考察聚氯乙烯（PVC）及PVC:Mo中间层对肖特基势垒二极管（SBDs）电物理特性的影响。利用X射线衍射（XRD）光谱法计算了Mo纳米结构的平均晶粒尺寸。基于电流-电压（I-V）数据提取了这些结构的电学特性。获得了这些二极管的电流输运机制（CCMs）以及表面态密度（Nss）随能量的分布情况。通过引入PVC及Mo掺杂PVC的界面聚合物层，有效降低了理想因子...

解读: 该肖特基势垒二极管优化技术对阳光电源功率器件研发具有重要参考价值。研究中PVC:Mo界面层通过降低理想因子、串联电阻和漏电流,同时提升势垒高度的方法,可应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的SiC/GaN功率器件封装优化。界面工程改善可降低器件导通损耗,提升1500V高压系统可靠性。负电容特性分...