Taekyun Kim · Dong Feng · Minsoo Jang · Vassilios G. Agelidis · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月

本文提出了一种用于两级级联升压变换器的电磁干扰（EMI）模型，旨在区分其噪声源。通过对比全SiC与SiC-Si器件组合，分析了开关速度对EMI产生的影响，并探讨了时域与频域之间的关系，揭示了电压纹波与尖峰对EMI的具体作用。

解读: 该研究对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）及PowerTitan储能变流器中的DC-DC升压环节具有重要参考价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用日益广泛，其高开关速度带来的EMI挑战愈发突出。通过建立精确的EMI模型，研发团队可在设计阶段优化PCB布局与滤波电路，有效抑制共...