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具有共模电压抑制功能的三相ZVS-TNPC逆变器
Three-Phase ZVS-TNPC Inverter With Common-Mode Voltage Suppression
Tao Chen · Huafeng Xiao · Ming Cheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
针对现有三相三电平中点钳位软开关逆变器存在的辅助元件多、器件利用率低及共模电压（CMV）高等问题，本文提出了一种新型高集成度三相零电压软开关T型中点钳位逆变器（ZVS-TNPC）。该拓扑通过“功能复用”技术，在降低共模电压的同时实现了软开关，提升了系统效率与功率密度。
解读: 该研究提出的ZVS-TNPC拓扑对阳光电源的核心业务——组串式逆变器及集中式逆变器具有重要参考价值。T型三电平结构是目前高效光伏逆变器的技术主流，通过软开关技术进一步降低开关损耗，有助于提升阳光电源逆变器产品的功率密度和转换效率。此外，共模电压抑制技术对于减少漏电流、提升系统电磁兼容性（EMC）至关...
用于多负载应用的水下电容耦合无线电能与数据同步传输
Undersea Capacitive Coupled Simultaneous Wireless Power and Data Transfer for Multiload Applications
Chaolai Da · Fang Li · Ming Nie · Shufan Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种针对水下自动航行器（AUV）集群的多负载无线电能与数据传输系统。该系统基于单电容耦合原理，由发射端的电站和多个接收端设备组成，能够实现多设备的同时充电与数据同步传输，为水下能源补给提供了高效的拓扑方案。
解读: 该技术主要涉及无线电能传输（WPT）及电容耦合拓扑，虽与阳光电源当前核心的光伏逆变器、储能系统及充电桩业务存在跨度，但其“多负载协同”与“高频功率变换”的设计理念对未来智能运维平台（iSolarCloud）的边缘设备无线供电或特定工业场景下的非接触式能源补给具有参考价值。建议关注其电容耦合拓扑在极端...
一种用于自主水下航行器的高速率全双工水下无线电能与数据传输系统
An Underwater Simultaneous Wireless Power and Data Transfer System for AUV With High-Rate Full-Duplex Communication
Yijie Wang · Tao Li · Ming Zeng · Jianwei Mai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
本文提出了一种用于自主水下航行器（AUV）的水下无线电能与数据同步传输系统。通过采用双侧LLCC补偿拓扑，有效抑制了开关瞬间对数据通道的干扰。研究探讨了耦合线圈尺寸与匝数对自谐振频率的影响，实现了高效的能量与数据并行传输。
解读: 该文献研究的无线电能传输（WPT）及抗干扰拓扑技术，在当前阳光电源的核心业务（光伏、储能、充电桩）中应用较少。然而，其LLCC补偿拓扑在抑制高频开关干扰方面的设计思路，可为公司在未来探索非接触式充电技术（如电动汽车无线充电或特定工业场景的无线供电）提供技术储备。建议研发团队关注其在复杂电磁环境下实现...
双有源桥变换器的复合占空比调制以最小化输出电压纹波和电感均方根电流
Composite Duty Modulation of Dual Active Bridge Converters to Minimize Output Voltage Ripples and Inductor RMS Currents
Xiaofeng Wang · Ming Yang · Wenxia Sima · Tao Yuan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
为降低双有源桥（DAB）变换器的输出电压纹波和电感均方根电流，本文提出了一种复合占空比调制（CDM）方案。该方案克服了轻载下基本占空比调制的局限性以及重载下多阶无功电流抑制策略的不足，通过通用模型优化了DAB变换器的性能。
解读: DAB变换器是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）及直流耦合光储一体化方案中双向DC-DC变换的核心拓扑。该研究提出的复合占空比调制（CDM）方案，能够有效降低电感电流RMS值，从而减少功率模块的导通损耗，提升系统整体转换效率；同时，对输出电压纹波的优化有助于延长储能...
用于GaN HEMT桥式电路串扰抑制的高频三电平栅极驱动器
High-Frequency Three-Level Gate Driver for GaN HEMT Bridge Crosstalk Suppression
Xiaonan Wang · Ming Tao · Jing Xiao · Deng Luo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
为抑制氮化镓（GaN）桥式电路中的串扰问题，本文提出了一种新型高频三电平栅极驱动器（HFTGD），实现了高达5MHz开关频率下的串扰抑制。该驱动器通过电容-二极管电路产生负压，有效防止了正向串扰引起的器件误导通。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为提升效率和减小体积的关键。该文章提出的高频三电平栅极驱动技术，能够有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题，对提升公司新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该驱动架...
原位N₂或H₂/N₂等离子体预处理对Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMT界面与边界陷阱的研究
Interface and Border Traps Study in Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMTs With In-Situ N₂ or H₂/N₂ Plasma Pretreatment
Jiaofen Yang · Jing Xiao · Ming Tao · Kai Tang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
本研究探究了原位 N₂ 或 H₂/N₂ 等离子体预处理对常开型 Si₃N₄/AlN/GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）中等离子体增强原子层沉积（PEALD）AlN 与 GaN 之间界面陷阱态和近界面陷阱态的影响。分别采用高频电容 - 电压（HFCV）测试和电导法对具有不同时间常数的界面陷阱密度以及不同能级的界面陷阱密度进行了表征。分别采用准静态电容 - 电压（QSCV）测试和 1/f 噪声法对近界面陷阱的能级和空间分布以及近界面陷阱密度进行了表征。研究...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN MIS-HEMTs器件界面陷阱态优化的研究具有重要的战略价值。氮化镓（GaN）功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性，正成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品的关键技术方向，直接影响系统的转换效率、功率密度和可靠性。 该研究通过H₂/N₂等离子体预处理技...
p-GaN栅极HEMT在高功率微波辐照下的退化行为与机理分析
Analysis of Degradation Behavior and Mechanism of p-GaN Gate HEMT Under High-Power Microwave Irradiation
Mingen Lv · Jing Xiao · Ming Tao · Yijun Shi 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
本研究对p型氮化镓（GaN）栅高电子迁移率晶体管（HEMT）在高功率微波（HPM）辐照下的电学特性退化行为进行了研究。基于1/f噪声方法对p-GaN栅HEMT在HPM辐照前后进行了陷阱分析。实验结果表明，HPM辐照下p-GaN栅HEMT的阈值电压明显低于未辐照的新器件，亚阈值摆幅大于新器件。栅极漏电流的最大变化量增大了一个数量级。随着HPM功率和辐照时间的增加，p-GaN栅HEMT器件的退化现象愈发严重。1/f噪声测试结果显示，HPM辐照下p-GaN栅HEMT的输入参考平带谱噪声密度增加了一倍。...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于p-GaN栅极HEMT器件在高功率微波辐照下退化机理的研究具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，阳光电源的核心产品大量采用GaN基功率器件以实现高效率、高功率密度的电能转换。 该研究揭示的关键问题直接关系到我们产品的可靠性设计。研究发现...