基于FinFET的逻辑兼容低电压线性注入模拟存储器

FinFET-Based Logic-Compatible Low-Voltage Linear-Injection Analog Memory

Hsin-Hung Yeh · Min-Hsun Chuang · Jiaw-Ren Shih · Chrong Jung Lin 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

本研究介绍了一种基于浮栅反相器的先进模拟存储单元架构，该架构采用鳍式场效应晶体管（FinFET）技术节点实现。该存储单元集成了一个互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑门，其模拟电平直接受浮栅中存储电荷量的影响。这种独特的共享浮栅配置能够对所存储的模拟值进行精确控制，与传统设计相比，可实现更宽范围的信号电平。互补设计方法进一步增强了存储单元的灵活性和鲁棒性，使其能够采用多种读出方法，且这些方法对工艺和工作条件的变化具有较强的适应性。此外，本研究成功展示了模拟电平的脉冲控制调制，以及针对该结构设计的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于FinFET工艺的浮栅模拟存储技术具有显著的战略价值。在光伏逆变器和储能系统的核心控制领域，该技术所展现的低功耗、高精度模拟信号存储能力，可为我们的产品带来多维度性能提升。 具体而言，该技术的共享浮栅架构能够实现更宽的模拟信号范围和精确的电荷控制，这对于逆变器中的...