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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

碳化硅功率器件结温提取技术综述

Junction Temperature Extraction for Silicon Carbide Power Devices: A Comprehensive Review

Huiqing Wen · Xiaoyu Li · Fei Zhang · Zifeng Qu 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

随着碳化硅(SiC)器件在电力电子领域的广泛应用,其高结温及剧烈波动带来的可靠性挑战日益凸显。本文全面综述了SiC器件结温提取的最新研究进展,探讨了不同提取方法在提升系统可靠性方面的应用价值,为解决SiC器件在高温环境下的性能评估与寿命预测提供了重要参考。

解读: 结温监测是提升阳光电源SiC产品可靠性的核心技术。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中,SiC器件的高频化应用显著提升了功率密度,但热应力管理成为关键。通过引入先进的结温提取算法,可实现对SiC模块的实时热状态监控,从而优化iSolarCloud平台的故障预警模型,实现从“事后维护”向...