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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于高温应用、低热应力的SiC功率模块双面冷却无键合线封装结构

A Low-Thermal-Stress Double-Sided Cooling Wire-Bondless Package Structure of SiC Power Modules for High-Temperature Applications

Baihan Liu · Cai Chen · Jianwei Lv · Shuangxi Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

为发挥碳化硅(SiC)的高温耐受优势,传统封装结构已难以满足需求。本文提出一种双面冷却(DSC)无键合线封装结构,消除了传统封装中可靠性薄弱的键合线,并具备低寄生电感和优异的热性能,为高温功率模块设计提供了新方案。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重大战略意义。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中,SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。该双面冷却无键合线封装技术能显著降低寄生电感,有效抑制开关过电压,并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团队关注此封装工艺在下一代高功率密度光伏逆变器...