Xiaoqing Song · Alex Q. Huang · Meng-Chia Lee · Chang Peng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月

本文研究了基于碳化硅（SiC）材料的高压（>10 kV）可控三端功率开关。由于硅基IGBT在阻断电压设计上存在物理局限，SiC器件在超高压应用中备受关注。文章重点探讨了22 kV SiC ETO晶闸管的理论设计与实验验证，展示了其在超高压电力电子转换中的应用潜力。

解读: 该研究涉及超高压（22kV）SiC功率器件，对阳光电源未来布局中高压直流输电（HVDC）及大型储能系统（如PowerTitan系列）的功率密度提升具有前瞻性意义。虽然目前主流光伏和储能系统多采用1500V及以下电压等级，但随着电网侧储能向更高电压等级演进以降低系统损耗，SiC器件在高压领域的突破将助...