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一种利用门极-阴极电压提取IGCT导通期间结温的准确方法
A Method to Extract the Accurate Junction Temperature of an IGCT During Conduction Using Gate–Cathode Voltage
Umamaheswara Reddy Vemulapati · Enea Bianda · Daniele Torresin · Martin Arnold 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月
本文提出了一种通过测量集成门极换流晶闸管（IGCT）门极-阴极电压，在器件导通状态下准确提取结温的新方法。研究表明，门极-阴极电压是阳极电流和结温的函数，该方法为实现功率器件的实时热监测提供了简便有效的技术路径。
解读: 虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC MOSFET技术，而非IGCT，但该研究提出的“基于电参数（门极电压）进行结温监测”的思路具有极高的参考价值。在阳光电源的高功率密度产品设计中，实时结温监测是提升功率模块可靠性和寿命预测的关键...