Mark D. Ilasin · Juan Paolo S. Bermundo · Pongsakorn Sihapitak · Candell Grace P. Quino 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月

随着对可持续、低功耗电子产品的需求持续增长，满足新兴技术需求的更简单制造技术和兼容材料变得愈发紧迫。由薄膜晶体管和肖特基二极管组成的源极栅控晶体管（SGT）因其高增益和低工作电压，已成为低功耗电子产品的理想选择。SGT能在低电压下实现稳定电流，这是节能设备的一项关键特性。本研究首次报道了一种以溶液法制备的非晶氧化锡（IV）作为沟道材料来实现SGT的新方法，该方法通过选择性地进行氩等离子体处理，借助引入氧空位和缺陷来调节其费米能级和功函数，从而无需使用特殊的肖特基源极金属。我们还探究了不同肖特基接...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于溶液法制备的源栅极晶体管（SGT）技术具有重要的战略意义。该技术通过氩等离子体处理调控氧化锡薄膜的费米能级，实现了无需稀有金属的低功耗晶体管制造，这与我们在光伏逆变器和储能系统中追求高效率、低成本的核心目标高度契合。 在光伏逆变器领域，该技术的低电压工作特性和高增...