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功率器件技术 GaN器件 功率模块 三电平 ★ 4.0

用于GaN HEMT桥式电路串扰抑制的高频三电平栅极驱动器

High-Frequency Three-Level Gate Driver for GaN HEMT Bridge Crosstalk Suppression

Xiaonan Wang · Ming Tao · Jing Xiao · Deng Luo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

为抑制氮化镓(GaN)桥式电路中的串扰问题,本文提出了一种新型高频三电平栅极驱动器(HFTGD),实现了高达5MHz开关频率下的串扰抑制。该驱动器通过电容-二极管电路产生负压,有效防止了正向串扰引起的器件误导通。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为提升效率和减小体积的关键。该文章提出的高频三电平栅极驱动技术,能够有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题,对提升公司新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该驱动架...

光伏发电技术 并网逆变器 储能系统 三电平 ★ 5.0

考虑低频共模电压的LCL型三电平并网逆变器多目标集成分-合控制方法

Multiobjectives Integrated Division-Summation Method for LCL-Type Three-Level Grid-Connected Inverter Considering Low-Frequency Common Mode Voltage

Jiang Liu · Guobing Song · Maojun Deng · Yiming Ren 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月

LCL型三电平并网逆变器广泛应用于光伏发电系统,具有多个独立控制目标。本文提出一种集成分-合(I-D-Σ)控制策略,可同时实现并网电流跟踪、中点电位平衡、谐振抑制及低频共模电压抑制。针对双分-合(D-D-Σ)方法仅考虑电流与谐振抑制的不足,引入虚拟零电位点以实现中点电位控制;并提出基于全连接卷积神经网络(FC-CNN)的低频共模电压估计算法,有效解决无传感器条件下共模电压不可观测问题。所提I-D-Σ方法通过低频共模电压补偿显著降低其幅值。实验结果验证了该策略的有效性。

解读: 该I-D-Σ多目标集成控制技术对阳光电源SG系列三电平光伏逆变器及ST储能变流器具有重要应用价值。研究提出的虚拟零电位点中点平衡控制可直接优化现有三电平拓扑产品的直流侧电容电压均衡性能,延长器件寿命。基于FC-CNN的无传感器低频共模电压估计算法可降低系统成本,其共模电压抑制技术能有效减少对地漏电流...