压电应变介导的Co2FeSi/V/PMN-PT多铁异质结构磁隧道结中隧穿磁电阻效应的调控

Piezoelectric strain-mediated control of the tunnel magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions with a Co2FeSi/V/PMN-PT multiferroic heterostructure

Mahfudh Yatmeidhy · Thin Solid Films · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

电场调控隧穿磁电阻（TMR）效应是降低自旋电子存储器件写入功耗的关键技术。本文研究了基于Co2FeSi/V/PMN-PT多铁异质结构的磁隧道结中TMR效应的电场控制。通过调节施加于异质结构的电场极性，实现了TMR效应的可重复、非易失性调控。特定电场作用后，Co2FeSi层的微观畴结构显著影响TMR的变化行为。优化调控效果需考虑多铁异质结构中磁电效应主导的微观畴结构演化。

解读: 该压电应变调控TMR效应技术对阳光电源新能源汽车驱动系统具有前瞻性参考价值。研究展示的电场调控磁电阻特性可启发电机驱动控制器中磁性传感器的低功耗设计，通过电场而非电流实现磁状态调控，降低位置检测和电流采样模块功耗。多铁异质结构的非易失性特性可应用于车载OBC充电机的功率开关状态记忆，减少待机能耗。C...