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用于电动汽车混合储能系统的效率优化型多源逆变器
Efficiency Improved Multi-Source Inverter for Hybrid Energy Storage Systems in Electric Vehicle Application
Javad Ebrahimi · Omid Salari · Suzan Eren · Keyvan Hashtrudi-Zaad 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年2月
本文探讨了多源逆变器（MSI）在电动汽车中的应用，该技术无需额外的DC/DC变换器或磁性元件即可实现对直流源的主动控制，有效降低了功率接口的重量与体积，提升了系统集成度与效率。
解读: 该技术通过简化拓扑结构实现多源集成，对阳光电源的电动汽车充电桩及储能业务具有重要参考价值。在PowerStack等储能系统或充电桩产品中，若能引入此类多源逆变拓扑，可显著减少DC/DC级联带来的损耗与体积，提升功率密度。建议研发团队关注该拓扑在车载充电机（OBC）与储能接口集成中的应用潜力，以优化阳...
在缩放的毫米波InP/GaInAsSb双异质结双极型晶体管中实现最优的碰撞电离限制击穿电压
Achieving Optimal Impact Ionization-Limited Breakdown Voltages in Scaled mm-Wave InP/GaInAsSb DHBTs
S. Hamzeloui · A. M. Arabhavi · F. Ciabattini · M. Ebrahimi 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
薄集电极InP/GaInAsSb双异质结双极型晶体管（DHBT）的开基极集电极-发射极击穿电压（BVCEO）和开发射极集电极-基极击穿电压（BVCBO）显著高于相同集电层结构的InP/GaAsSb DHBT，分别提升20%和43%。研究表明，GaInAsSb基区使BVCEO达到由碰撞电离决定的理论极限值，首次在缩放InP DHBT中实现该性能。性能提升源于GaInAsSb抑制了基区价带与InP集电区导带间的带间隧穿。实测与理论计算一致，验证了机制的准确性。该方法无需调整集电区设计即可提升击穿电压...
解读: 该InP/GaInAsSb DHBT击穿电压优化技术对阳光电源功率半导体器件应用具有重要参考价值。研究通过材料能带工程抑制隧穿效应，在不牺牲高频性能前提下提升器件耐压20%-43%，该思路可借鉴至SiC/GaN功率器件优化中。对于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器，更高击穿电压的功率器件可提升系...