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基于双扩展卡尔曼滤波的变任务剖面下MOSFET实时状态监测
Real-Time MOSFET Condition Monitoring for Variable Mission Profiles With a Dual Extended Kalman Filter
Martijn Deckers · Leander Van Cappellen · Jens Moschner · Michaël Daenen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种在变任务剖面应用中，利用外部可测电气参数实时检测功率MOSFET退化的方法。该方法通过监测对损伤和温度敏感的漏源导通电阻及栅极电阻，克服了现有文献仅适用于固定工况的局限性，为电力电子器件的健康管理提供了实时监测方案。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度和长寿命设计演进，功率器件（尤其是SiC/GaN等宽禁带半导体）的可靠性是核心竞争力。该方法无需额外传感器即可实现器件健康状态的在线监测，有助于iS...