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基于双扩展卡尔曼滤波的变任务剖面下MOSFET实时状态监测
Real-Time MOSFET Condition Monitoring for Variable Mission Profiles With a Dual Extended Kalman Filter
| 作者 | Martijn Deckers · Leander Van Cappellen · Jens Moschner · Michaël Daenen · Johan Driesen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 故障诊断 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | MOSFET 状态监测 可变任务剖面 双扩展卡尔曼滤波 漏源电阻 栅极电阻 老化 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种在变任务剖面应用中，利用外部可测电气参数实时检测功率MOSFET退化的方法。该方法通过监测对损伤和温度敏感的漏源导通电阻及栅极电阻，克服了现有文献仅适用于固定工况的局限性，为电力电子器件的健康管理提供了实时监测方案。
English Abstract
The article proposes a methodology to detect real-time power mosfet degradation, in variable mission profile applications, using externally measurable electrical parameters. This complements the work done for fixed operation conditions in current literature. To achieve this, the damage and temperature sensitive drain to source resistance is accompanied with a gate resistance measurement only sensi...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度和长寿命设计演进，功率器件（尤其是SiC/GaN等宽禁带半导体）的可靠性是核心竞争力。该方法无需额外传感器即可实现器件健康状态的在线监测，有助于iSolarCloud平台实现从“被动维修”向“预测性维护”的转型，显著降低运维成本，提升电站全生命周期可靠性。建议在下一代PCS产品开发中引入此类算法，以实现对核心功率模块退化的实时预警。