找到 1 条结果

排序:
拓扑与电路 SiC器件 功率模块 多电平 ★ 4.0

基于SiC-MOSFET模块的6.6kV 200kVA无变压器SDBC型STATCOM的开发与验证测试

Development and Verification Test of the 6.6-kV 200-kVA Transformerless SDBC-Based STATCOM Using SiC-MOSFET Modules

Laxman Maharjan · Toshihisa Tajyuta · Koji Maruyama · Akio Suzuki 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

本文探讨了6.6kV 200kVA无变压器静止同步补偿器(STATCOM)的开发与测试。该系统采用模块化多电平单三角桥单元(SDBC)拓扑,并结合碳化硅(SiC)MOSFET功率模块,实现了高压环境下的高效功率变换与控制。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan系列)及高压并网设备具有重要参考价值。SDBC拓扑结合SiC器件可显著提升功率密度并降低系统体积,助力实现无变压器化的高压接入,符合阳光电源追求高效率、高功率密度的产品迭代方向。建议研发团队关注SiC在高压模块化多电平变换器中的热管理与驱动保护设计,...