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基于SiC-MOSFET模块的6.6kV 200kVA无变压器SDBC型STATCOM的开发与验证测试
Development and Verification Test of the 6.6-kV 200-kVA Transformerless SDBC-Based STATCOM Using SiC-MOSFET Modules
| 作者 | Laxman Maharjan · Toshihisa Tajyuta · Koji Maruyama · Akio Suzuki · Akio Toba |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 多电平 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | STATCOM 无变压器 SDBC变换器 SiC-MOSFET 电力电子 模块化多电平变换器 高压系统 |
语言:
中文摘要
本文探讨了6.6kV 200kVA无变压器静止同步补偿器（STATCOM）的开发与测试。该系统采用模块化多电平单三角桥单元（SDBC）拓扑，并结合碳化硅（SiC）MOSFET功率模块，实现了高压环境下的高效功率变换与控制。
English Abstract
This article discusses development and verification test results of the 6.6-kV 200-kVA transformerless static synchronous compensator (STATCOM). This STATCOM is characterized by the use of a modular multilevel single-delta bridge-cell (SDBC) converter and silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) modules. The article discusses a control method for the 6.6-kV system...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan系列）及高压并网设备具有重要参考价值。SDBC拓扑结合SiC器件可显著提升功率密度并降低系统体积，助力实现无变压器化的高压接入，符合阳光电源追求高效率、高功率密度的产品迭代方向。建议研发团队关注SiC在高压模块化多电平变换器中的热管理与驱动保护设计，这对于提升PowerTitan等大型储能变流器在电网侧的应用性能及降低损耗具有直接的工程指导意义。