Kartikay Mani Tripathi · Madhav Pathak · Sanjeev Manhas · Anand Bulusu · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.228

摘要 本文提出一种自适应体偏置（ABB）技术，用于在负载电流需求发生阶跃增加时改善数字低压差稳压器（DLDO）的瞬态响应性能。所提出的ABB技术能够检测输出电压的下冲，并动态调节DLDO开关阵列中pMOSFET的体偏置电压，从而降低其阈值电压，提升电流供给能力，以更好地满足瞬态负载需求。在28 nm FDSOI（RVT）工艺下设计并仿真的集成ABB技术的DLDO结果显示，与未采用ABB技术的DLDO相比，峰值输出电压下冲和恢复时间分别减少了21.23%和41.13%。为验证该方法在体硅CMOS工...

解读: 该自适应体偏置DLDO技术对阳光电源电动汽车驱动系统和储能变流器具有重要应用价值。在ST系列PCS和车载OBC充电机中,负载瞬态响应直接影响系统稳定性。该技术通过动态调节体偏置降低阈值电压,可使电压下冲减少21%、恢复时间缩短41%,有效提升SiC/GaN功率器件驱动电路的瞬态性能。可应用于Powe...