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拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 可靠性分析 ★ 2.0

一种具有随机并行功率注入和电荷回收功能的加密片上电源,用于抵御功率/电磁侧信道攻击

An Encrypted On-Chip Power Supply With Random Parallel Power Injection and Charge Recycling Against Power/EM Side-Channel Attacks

Kang Wei · Jin Woong Kwak · D. Brian Ma · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

随着硬件安全成为现代电子设备保护信息隐私的关键挑战,本文提出了一种加密片上电源,旨在抵御针对加密核心的功率和电磁侧信道攻击(SCA)。通过将电源路径与安全路径分离,利用随机并行功率注入和电荷回收技术,实现了供电功率的加密,有效增强了硬件系统的安全性。

解读: 该技术主要针对芯片级的硬件安全防护,通过电源层面的加密来抵御侧信道攻击。对于阳光电源而言,该技术在当前主流的光伏逆变器、储能PCS及充电桩产品中应用场景有限,主要因为电力电子设备的核心安全诉求更多集中在通信协议安全、固件防篡改及电网安全接入。但在iSolarCloud智能运维平台及未来高度集成化的智...

控制与算法 PWM控制 机器学习 ★ 3.0

一种基于误差修正级联ESO和误差变换自适应RBF神经网络的永磁同步电机速度控制增强型自抗扰控制方法

An Enhanced Active Disturbance Rejection Control Method for PMSM Speed Control Using Error-Corrected Cascaded ESO and Error-Transformed Adaptive RBF Neural Network

Yuxin Kang · Yongting Deng · Chuanlong Zhai · Wenjie Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

针对复杂工况下永磁同步电机(PMSM)系统受非周期性和周期性扰动影响导致速度控制性能下降的问题,本文提出了一种增强型自抗扰控制(ADRC)方法。该方法通过级联扩展状态观测器(ESO)修正误差,并结合误差变换自适应RBF神经网络,有效提升了系统的抗扰动能力和动态响应性能。

解读: 该研究提出的增强型ADRC算法在电机高精度控制方面具有显著优势,与阳光电源的业务关联主要体现在风电变流器及电动汽车充电桩的电机驱动控制领域。风电变流器在复杂电网环境下对转矩脉动和速度控制精度要求极高,该算法可提升变流器应对电网扰动的鲁棒性。此外,在充电桩的功率模块控制或未来储能系统中的旋转机械控制中...

拓扑与电路 三相逆变器 功率模块 有限元仿真 ★ 4.0

SPWM激励下电感集成三相三维卷铁心变压器的建模与优化设计

Modeling and Optimal Design of Inductor-Integrated Three-Phase 3-D Wound Core Transformer Under SPWM Excitation

Beichao Yang · Ruitian Wang · Fei Xiao · Xinsheng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

本文针对隔离型直流/交流应用,研究了三维卷铁心变压器(3-D-WCT)的建模与优化设计。相比叠片铁心,3-D-WCT具有磁路对称、振动小等优势。文章基于Jiles-Atherton模型建立了非线性磁路模型,旨在优化变压器设计以提升系统效率与功率密度。

解读: 该研究对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器(PCS)具有重要参考价值。在PowerTitan等大功率储能系统及高功率密度光伏逆变器中,变压器/电感集成设计是减小体积、降低损耗的关键。3-D卷铁心技术带来的磁路对称性和低振动特性,有助于提升产品在复杂工况下的电磁兼容性(EMC)和可靠性。建议研发团队关...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 4.0

低气压环境下IGBT模块功率循环老化机理和寿命预测研究

Research on Power Cycling Aging Mechanism and Lifetime Prediction of IGBT Modules Under Low Air Pressure

Yue Pan · Yongqiang Kang · Zhichen Liu · Yifan Wei 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月

低压环境运行的IGBT模块存在显著性能退化,影响可靠性。使用定制实验平台研究低压条件下IGBT模块功率循环老化特性和机理。结果显示低压(54kPa)加速老化,通态电压降增加5%时标准气压模块仅增加3%。低压下最大稳态结温增加12%,标准气压仅7%。老化模块拆解显示低气压环境键合质量和绝缘退化更严重。建立多物理场(电流-热-力)模型,结合低压对流换热修正分析这些效应。模型证实低压受限散热导致结温和应力(键合丝脚、焊料层边缘、铜陶瓷界面)增加,导致键合丝脱落。基于气压、散热和结温耦合,利用实验数据和...

解读: 该低气压IGBT老化机理和寿命预测技术对阳光电源高海拔和航空应用功率模块设计有重要参考价值。低压多物理场耦合模型可应用于西藏和青海等高海拔地区储能和光伏项目的IGBT可靠性评估。寿命预测方法对阳光电源功率模块的高原适应性设计和降额曲线制定有指导意义。该技术对ST储能系统在特殊环境下的可靠性保障和预测...

智能化与AI应用 强化学习 机器学习 模型预测控制MPC ★ 5.0

基于稀疏模型集成学习策略的主动配电网端到端协同优化调度

End-to-End Collaborative Optimization for Active Distribution Network Power Dispatch Based on Sparse Model-Ensemble Learning Policy

Lilin Cheng · Kang Sun · Haixiang Zang · Guoqiang Sun 等5人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年8月 · Vol.17

针对分布式新能源高渗透下源荷双不确定性导致的传统‘预测-优化’调度性能偏差问题,本文提出端到端调度策略,跳过功率预测环节,直接融合数值天气预报等多源信息决策;采用稀疏模型集成学习与约束策略优化求解,在光伏无功调节与需求响应场景中显著提升实时调度性能。

解读: 该研究高度契合阳光电源在智能调度与光储协同控制领域的战略布局。其端到端AI调度框架可直接赋能iSolarCloud平台升级,提升对ST系列PCS、PowerTitan及组串式逆变器集群的实时协同调控能力;尤其适用于工商业光储一体化项目中的动态无功支撑与需求响应。建议将稀疏模型集成策略嵌入iSolar...

光伏发电技术 储能系统 ★ 5.0

基于稀疏模型集成学习策略的主动配电网有功调度端到端协同优化

End-to-End Collaborative Optimization for Active Distribution Network Power Dispatch Based on Sparse Model-Ensemble Learning Policy

Lilin Cheng · Kang Sun · Haixiang Zang · Guoqiang Sun 等5人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年8月

随着分布式可再生能源渗透率的提高,新型主动配电网日益采用灵活调节策略。源荷双侧不确定性给配电网调度带来显著挑战,传统“先预测后优化”方法难以量化实时调度与理论最优之间的性能差距。为此,本文提出一种端到端协同优化策略,直接利用格点化气象数值预报等多源信息进行调度决策,省去功率预测中间环节。为应对高维开放场景下的模型训练难题,引入稀疏模型集成学习构建调度策略,并采用约束策略优化求解。算例表明,该策略在光伏无功辅助服务与需求响应场景中优于传统方法。

解读: 该端到端协同优化技术对阳光电源PowerTitan储能系统和SG系列光伏逆变器的智能调度具有重要应用价值。通过跳过传统功率预测环节,直接基于气象数据进行调度决策,可显著提升iSolarCloud云平台的实时响应能力。稀疏模型集成学习策略适用于ST储能变流器的多场景自适应控制,特别是在光伏无功辅助服务...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

一种4H-SiC 1.7 kV额定嵌入式TMBS UMOSFET

A 4H-SiC 1.7 kV Rated TMBS-Embedded UMOSFET

Jia-Wei Hu · Kuan-Min Kang · Chih-Fang Huang · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

本文提出并验证了一种新型的嵌入沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基(TMBS)二极管的 4H - 碳化硅(4H - SiC)UMOSFET。制备并评估了 TMBS 与 UMOS 比例为 0、1/3 和 1/2 的 MOSFET。一款沟槽深度为 1.5 微米、台面宽度为 1.6 微米的 UMOSFET,其比导通电阻(R<sub>on, sp</sub>)为 5.8 毫欧·平方厘米,击穿电压(BV)为 2040 伏。嵌入 TMBS 单元的器件击穿电压无下降,TMBS 与 UMOS 比例为 1/3 和 1...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项4H-SiC 1.7kV TMBS嵌入式UMOSFET技术具有重要的战略价值。该技术通过在沟槽MOSFET中嵌入肖特基势垒二极管单元,实现了功率器件性能的显著优化,这与我们在光伏逆变器和储能系统中对高效率、高可靠性功率半导体的需求高度契合。 技术核心价值体现在三个方面...