Lina Wang · Junyi Yang · Haobo Ma · Zeyuan Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月

基于碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）的双向开关在矩阵变换器、多电平变换器及固态断路器等电力电子电路中应用潜力巨大。然而，其寄生振荡现象直接影响电路的稳定性和可靠性。本文针对该寄生振荡进行建模与分析，旨在为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。

解读: SiC器件是提升阳光电源逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该研究针对SiC JFET双向开关的寄生振荡建模，对公司开发高频、高效率的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器具有重要参考价值。通过掌握寄生振荡机理，研发团队可优化驱动电路设计与PCB布局，从而降低电磁干扰（EMI），提...