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20kW零电压开关SiC-MOSFET并网逆变器
300kHz开关频率
Ning He · Min Chen · Junxiong Wu · Nan Zhu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月
尽管SiC-MOSFET在开关性能上优于传统Si-IGBT，但硬开关下的开关损耗随频率升高而急剧增加，限制了逆变器效率与功率密度的进一步提升。本文提出一种零电压开关（ZVS）空间矢量调制（SVM）技术，旨在解决高频化带来的损耗问题。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能PCS产品线具有重要参考价值。通过采用ZVS技术结合SiC器件，可显著提升开关频率至300kHz，从而大幅减小磁性元件体积，实现更高功率密度。建议研发团队评估该调制策略在PowerStack等储能变流器中的应用潜力，以优化散热设计并降低整机体积，进一步提升阳光...
一种基于VCE测量的自适应消隐电路改进型IGBT短路保护方法
An Improved IGBT Short-Circuit Protection Method With Self-Adaptive Blanking Circuit Based on V CE Measurement
Min Chen · Dehong Xu · Xingyao Zhang · Nan Zhu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
IGBT短路保护是提升电力电子系统可靠性的关键。传统的基于VCE测量的短路保护方法需通过消隐电路避免误触发。本文提出了一种自适应消隐电路改进方案，旨在优化短路检测的准确性与响应速度，从而增强功率变换器在极端工况下的可靠性。
解读: 该技术直接应用于阳光电源的核心产品线，包括组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器。IGBT作为上述产品的核心功率器件，其短路保护的可靠性直接决定了系统的故障率与使用寿命。传统的固定消隐时间方案在应对不同工况时存在误触发或保护滞后的风险，而该自适应消...