找到 1 条结果
排序:
功率器件技术
SiC器件
宽禁带半导体
可靠性分析
★ 5.0
基于电致发光效应的SiC MOSFET结温与电流同步提取方法
Online Junction Temperature and Current Simultaneous Extraction for SiC MOSFETs With Electroluminescence Effect
Haoze Luo · Junjie Mao · Chengmin Li · Francesco Iannuzzo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月
本文提出了一种基于SiC MOSFET体二极管电致发光机理的结温与电流同步提取方法。通过观测发射光谱中的两个特征峰,证明了可以同时测量结温和漏极电流。该方法通过解耦两者关系,为功率器件的在线监测提供了新思路。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC MOSFET的应用日益广泛。该方法无需额外传感器,即可实现器件结温与电流的实时精准监测,能够显著提升逆变器与PCS系统的可靠性评估精度,优...