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用于高频感应式无线电能传输的单匝空芯线圈
Single-Turn Air-Core Coils for High-Frequency Inductive Wireless Power Transfer
Grayson Zulauf · Juan M. Rivas-Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
本文针对兆赫兹级感应式无线电能传输系统，探讨了谐振槽路及线圈品质因数对效率的限制。通过二维有限元分析，优化了单匝空芯电感的横截面设计，并验证了其在高频及甚高频工业无线充电应用中的性能表现。
解读: 该研究聚焦于高频无线电能传输中的磁性元件优化，对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有前瞻性参考价值。随着无线充电技术在乘用车及工业AGV领域的潜在应用，优化线圈品质因数和高频损耗控制是提升系统效率的关键。建议研发团队关注该文提出的有限元优化方法，将其应用于高频功率模块的磁性元件设计中，以减小体积并提升功...
实现阻抗压缩网络以补偿无线电能传输系统中的偏移
Implementing an Impedance Compression Network to Compensate for Misalignments in a Wireless Power Transfer System
Jungwon Choi · Jiale Xu · Rawad Makhoul · Juan M. Rivas Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月
本文提出了一种阻抗压缩网络（ICN）设计，用于补偿无线电能传输（WPT）系统中线圈间的距离或对齐偏差。在无线充电应用中，磁谐振耦合线圈常用于实现高效电池充电，但线圈间的位移会导致耦合系数变化，影响传输效率。ICN技术能有效缓解这种偏差带来的性能波动。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，与阳光电源目前的电动汽车充电桩业务存在技术关联。虽然目前主流充电桩仍以有线传导式为主，但无线充电是未来电动汽车补能的重要发展方向。ICN技术通过补偿线圈偏移提高传输效率，可为阳光电源未来布局大功率无线充电桩提供拓扑参考。建议研发团队关注该技术在提升充电容错率...
兆赫兹工作条件下GaN HEMT E类功率放大器的优化研究
On the Optimization of a Class-E Power Amplifier With GaN HEMTs at Megahertz Operation
Kawin North Surakitbovorn · Juan M. Rivas-Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
随着宽禁带半导体器件的普及及对高效率功率放大器需求的增长，E类功率放大器重新受到学术界关注。尽管GaN HEMT在兆赫兹高频运行下表现出色，但其输出电容（Coss）在高频下会产生额外的损耗。本文旨在探讨并优化该类器件在高频应用中的性能表现。
解读: 该研究聚焦于GaN器件在高频（MHz）下的损耗特性与拓扑优化。对于阳光电源而言，虽然目前主流光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan、组串式逆变器）多工作在kHz量级以平衡效率与成本，但随着功率密度要求的不断提升，高频化是未来小型化逆变器及车载充电桩（OBC）的重要趋势。建议研发团队关注GaN...
一种用于高压转换的并联电感与非线性电容Class-DE整流器设计
Design of a Class-DE Rectifier with Shunt Inductance and Nonlinear Capacitance for High-Voltage Conversion
Sanghyeon Park · Juan M. Rivas · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文提出了一种带并联电感输入网络的谐振Class-DE整流器设计方法。该拓扑在高频和高压应用中具有显著优势。针对高压设计，本文解决了缺乏考虑并联电感进行低到高阻抗匹配以及非线性电容影响的设计流程这一关键问题。
解读: 该研究关注的高频高压整流技术对阳光电源的电力电子变换效率提升具有重要参考价值。在阳光电源的组串式逆变器及PowerStack储能变流器（PCS）中，随着功率密度要求的不断提高，对开关损耗和无源元件体积的优化至关重要。Class-DE整流器在高频下的软开关特性可有效降低开关损耗，该文提出的非线性电容建...
中压变流器门极驱动器多兆赫兹隔离辅助电源的优化设计
Optimized Design of Multi-MHz Frequency Isolated Auxiliary Power Supply for Gate Drivers in Medium-Voltage Converters
Ole Christian Spro · Pierre Lefranc · Sanghyeon Park · Juan M. Rivas-Davila 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文提出了一种用于中压变流器门极驱动的高隔离电压、低耦合电容隔离式DC-DC辅助电源设计。该变换器采用6.78 MHz GaN HEMT逆变器、LCC谐振槽路及E类低dv/dt整流器，并利用无芯平面变压器实现电气隔离。
解读: 该技术对阳光电源的中高压变流器产品（如PowerTitan储能系统、集中式光伏逆变器及风电变流器）具有重要参考价值。随着功率器件向高频化、高功率密度方向演进，门极驱动的隔离电源设计是提升系统可靠性和抗干扰能力的关键。采用GaN器件和高频谐振技术可显著减小辅助电源体积，降低寄生参数影响，有助于提升阳光...