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低温环境下1kW氮化镓三电平变换器的设计、运行与损耗特性研究
Design, Operation, and Loss Characterization of a 1-kW GaN-Based Three-Level Converter at Cryogenic Temperatures
Christopher B. Barth · Thomas Foulkes · Oscar Azofeifa · Juan Colmenares 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文研究了低温环境下基于氮化镓（GaN）的飞跨电容多电平变换器在高功率密度和高效率转换方面的潜力。文章重点探讨了该技术在液化天然气动力混合动力飞机中的应用，并基于GaN开关器件的温度特性，分析了近低温运行对变换器损耗及性能的影响。
解读: 该研究聚焦于GaN器件在极端低温下的特性及多电平拓扑应用，对阳光电源的研发具有前瞻性参考价值。虽然目前公司核心产品（如PowerTitan储能系统、组串式逆变器）主要运行在常规环境温度，但随着高功率密度需求的提升，GaN及多电平技术在提升逆变器效率和减小体积方面至关重要。建议研发团队关注该文献中关于...
一种基于二极管电流自适应的低损耗IGBT开通概念
An IGBT Turn-ON Concept Offering Low Losses Under Motor Drive dv/dt Constraints Based on Diode Current Adaption
Erik Velander · Lennart Kruse · Thomas Wiik · Anders Wiberg 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年2月
本文提出了一种适用于硅基IGBT与PIN二极管组合的低损耗开通方案。该方案专为100kW至1MW功率等级的两电平电机驱动器设计，在满足电机绕组dv/dt限制的前提下，优化了IGBT开通损耗及二极管反向恢复特性，有效平衡了开关损耗与电磁兼容性。
解读: 该技术对阳光电源的集中式光伏逆变器及大功率储能变流器（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在兆瓦级功率变换器中，IGBT开通损耗与dv/dt限制之间的矛盾是提升效率与保护绝缘系统的关键。通过二极管电流自适应控制，可在不增加复杂硬件成本的前提下，优化开关过程，提升整机效率。建议研发团队关注该...