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用于电感元件有限元仿真的磁性微丝宏观建模
Macroscopic Modeling of Magnetic Microwires for Finite Element Simulations of Inductive Components
Alberto Delgado · Jesus Angel Oliver · Jose Antonio Cobos · Jorge Rodriguez-Moreno · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
本文提出了一种基于聚合物基体中嵌入平行连续铁磁微丝的新型复合磁性材料。相比传统易碎铁氧体，该材料在机械振动环境下具有显著优势。研究重点在于建立微丝的宏观模型，以支持电感元件的有限元仿真，为电力电子器件在严苛环境下的设计提供理论支撑。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统中的电感元件设计具有重要参考价值。在光伏和储能设备户外运行场景中，设备常面临振动和冲击，传统铁氧体磁芯易碎。引入此类高机械强度的复合磁性材料，可提升电感器在复杂工况下的可靠性。建议研发团队关注该宏观建模方法，将其集成至现有的多物理场仿真平...
采用多种调制策略和可变开关频率的单相逆变器控制设计
Control Design of a Single-Phase Inverter Operating With Multiple Modulation Strategies and Variable Switching Frequency
Regina Ramos · Diego Serrano · Pedro Alou · Jesus Angel Oliver 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文提出了一种针对采用多种调制策略的单相单级逆变器的控制线性化技术。该功率拓扑基于飞跨电容多电平（FCML）逆变器，控制策略基于对象逆模型。该技术实现了输入电流与输出电压的解耦控制，简化了控制逻辑。
解读: 该研究涉及的飞跨电容多电平（FCML）拓扑及解耦控制技术，对阳光电源的户用及工商业组串式逆变器具有重要参考价值。随着光伏逆变器向高功率密度和高效率发展，多电平拓扑的应用日益广泛，该文提出的控制线性化方法有助于提升逆变器在变开关频率下的动态响应速度和电能质量。建议研发团队关注该拓扑在提升单相逆变器效率...
考虑宽互感变化的开环电压源特性感应电能传输系统设计
Design of Inductive Power Transfer System With a Behavior of Voltage Source in Open-Loop Considering Wide Mutual Inductance Variation
Alberto Delgado · Nicolas Alonso Requena · Regina Ramos · Jesus Angel Oliver 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文分析了感应电能传输（IPT）系统的主要谐振网络拓扑，研究了耦合系数变化及负载波动对系统的影响。通过理论推导，选定串-串（SS）谐振拓扑以抵消漏感，旨在解决气隙变化带来的性能挑战，实现开环下的电压源特性。
解读: 该研究关注无线电能传输（IPT）的拓扑优化与参数鲁棒性，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有技术关联。虽然目前主流充电桩以有线快充为主，但随着无线充电技术的成熟，该研究中关于宽互感变化下的稳压控制策略，可为阳光电源未来布局大功率无线充电产品提供拓扑参考。此外，其谐振网络设计思路也可借鉴至部分高频DC-...
实现全开关转换零电压开关
ZVS）的改进型VIENNA整流器III：分析、设计与验证
Sisi Zhao · Uroš Borović · Marcelo Silva · Óscar García 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
本文提出了一种用于航空应用的3.3kW隔离式单级三相Buck型整流器。文章详细介绍了该整流器的工作原理与调制方法，重点分析了其在所有开关转换过程中实现零电压开关（ZVS）的优势，并与VIENNA整流器III进行了对比。
解读: 该研究提出的全ZVS三相整流拓扑对于提升高功率密度变换效率具有参考价值。虽然该文侧重于航空应用，但其核心的ZVS技术和三电平整流优化思路可应用于阳光电源的组串式光伏逆变器及充电桩产品线。在追求更高效率和更小体积的趋势下，该拓扑的调制策略和软开关技术可为下一代高频化、高功率密度逆变器及充电模块的研发提...
带场板结构的GaN HEMT输入、输出及反向电容的物理分析模型
Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Dejana Cucak · Miroslav Vasic · Oscar Garcia · Jesus Angel Oliver 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月
本文针对具有栅极场板结构的常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），在亚阈值区建立了输入、输出及反向电容的物理分析模型。该模型与现有的输出I-V特性模型相结合，为GaN器件的电学特性提供了完整的解析方程组。
解读: GaN作为第三代宽禁带半导体，在提升功率密度和开关频率方面具有显著优势。该模型对阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中应用GaN器件具有重要指导意义。通过精确建模器件的寄生电容，研发团队可在设计阶段更准确地评估开关损耗与EMI特性，优化驱动电路设计，从而进一步缩小产品体积并提升转换效率。建议在...