Cristina Martos-Contreras · Alfredo Medina-Garcia · Jorge Perez-Martinez · Noel Rodriguez 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

随着电力电子变换器向高频化、小型化发展，开关损耗成为限制效率提升的关键瓶颈。本文深入分析了非对称半桥结构中实现零电压开关（ZVS）的条件，旨在通过优化开关策略与拓扑设计，在宽禁带半导体应用中最大限度地降低损耗，提升变换器整体效率与热管理性能。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。非对称半桥拓扑广泛应用于阳光电源的组串式光伏逆变器DC-DC级以及户用储能系统的双向DC-DC变换器中。通过深入理解ZVS实现机制，研发团队可进一步提升高频化设计能力，减小磁性元件体积，从而优化户用逆变器及PowerStack储能系统的功率密度。建议在下一...