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功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

中压电力电子系统中的寄生电容耦合:综述

Parasitic Capacitive Couplings in Medium Voltage Power Electronic Systems: An Overview

Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Gao Liu · Morten Rahr Nielsen · Rui Wang 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

随着中压宽禁带半导体器件的发展,高功率转换效率需求日益增长。然而,高dv/dt带来的寄生电容耦合问题对系统电磁兼容性及绝缘可靠性提出了严峻挑战。本文综述了寄生耦合机制及其对电力电子系统的负面影响。

解读: 该研究直接关联阳光电源在高压大功率电力电子设备中的核心技术挑战。随着PowerTitan系列储能系统及集中式光伏逆变器向更高电压等级(如1500V及以上)和更高开关频率演进,SiC等宽禁带器件的应用使得dv/dt效应愈发显著。寄生电容耦合分析对于优化功率模块布局、降低EMI干扰、提升绝缘可靠性至关重...