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900 V 10 mΩ SiC MOSFET的精确量热开关损耗测量
Accurate Calorimetric Switching Loss Measurement for 900 V 10 mΩ SiC mosfets
Jon Azurza Anderson · Christoph Gammeter · Lukas Schrittwieser · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月
本文提出并评估了三种精确（±20%）的量热法开关损耗测量方法，相比传统量热法，该方法能以更快的速度（20-25分钟/点）测量硬开关和软开关损耗。文中对开关损耗测量数据的准确性进行了全面分析，为后续开关损耗数据的准确性评估设定了基准。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan及PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和转换效率，开关损耗的精确评估至关重要。该文献提出的高精度量热测量方法，能够有效解决SiC器件在高频、高压工况下损耗测量误差大的痛点。建议研发团队将其应用于新一代高频功率模块的...
三电平已不足够：交流/直流应用中多电平变换器的缩放定律
Three Levels Are Not Enough: Scaling Laws for Multilevel Converters in AC/DC Applications
Jon Azurza Anderson · Grayson Zulauf · Panteleimon Papamanolis · Simon Hobi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
本文探讨了230 Vrms交流/400 V直流应用中单相逆变器与整流器的拓扑选择。虽然两电平拓扑在特定场景下效率极高，但随着功率密度与性能要求的提升，研究指出三电平拓扑已难以满足需求，并提出了多电平变换器的缩放定律，为高性能变换器设计提供了理论依据。
解读: 该研究探讨的拓扑缩放定律对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS设计具有重要参考价值。随着户用市场对高功率密度和高效率的追求，传统的两电平或三电平拓扑可能面临瓶颈。建议研发团队关注文中提到的多电平拓扑演进，评估其在提升iSolarCloud智能运维平台下设备效率的潜力，特别是在优化单相组串式逆变器...