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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

系统并网技术 PFC整流 微电网 储能变流器PCS ★ 4.0

数据中心配电系统的动态模型与基于变换器的仿真器

Dynamic Model and Converter-Based Emulator of a Data Center Power Distribution System

Jingjing Sun · Shuyao Wang · Jingxin Wang · Leon M. Tolbert · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

数据中心作为电力电子负载,对电网稳定性影响显著。本文提出了典型数据中心交流配电系统的完整动态模型,并设计了一种具备模式转换功能的通用模型,用于协调数据中心电力系统中的不同功率级,为研究其负载特性及电网交互提供了理论支撑。

解读: 数据中心是阳光电源储能业务(PowerStack/PowerTitan)及工商业光伏的重要应用场景。本文提出的动态模型与仿真器技术,有助于公司深入理解数据中心作为大功率电力电子负载的动态响应特性。在产品开发层面,该研究可指导公司优化储能变流器(PCS)在数据中心备用电源及削峰填谷场景下的控制策略,提...

拓扑与电路 多电平 DC-DC变换器 充电桩 ★ 3.0

用于感应电能传输二次侧控制的谐振模块化多电平整流器

A Resonant Modular Multilevel Rectifier for Secondary Control in Inductive Power Transfer

Jianting Li · Puyu Wang · Jianke Li · Jinquan Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

感应电能传输(IPT)系统的二次侧控制通过消除发射端与接收端反馈控制中的长传播延迟,实现了稳健的输出调节。针对近期多电平开关电容变换器在接收端整流应用中存在的电荷共享损耗高的问题,本文提出了一种谐振模块化多电平整流器,旨在优化整流效率与控制性能。

解读: 该技术主要针对感应电能传输(IPT)领域,即无线充电技术。阳光电源在电动汽车充电桩领域已有布局,虽然目前主流为有线充电,但无线充电是未来大功率充电的重要技术储备。该谐振模块化多电平整流拓扑能有效降低开关损耗,提升功率密度。建议研发团队关注该拓扑在未来大功率无线充电桩接收端的应用潜力,通过优化多电平控...

储能系统技术 储能系统 电池管理系统BMS 故障诊断 ★ 5.0

基于新型指标与分数阶灰色模型及无迹粒子滤波的电池剩余寿命预测

Remaining Useful Life Prediction of Battery Using a Novel Indicator and Framework With Fractional Grey Model and Unscented Particle Filter

Lin Chen · Jing Chen · Huimin Wang · Yijue Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

锂离子电池是电动汽车供电的核心。准确预测电池剩余使用寿命(RUL)对于保障系统安全与可靠性至关重要。由于电池老化机制复杂,BMS进行RUL预测面临挑战。本文提出了一种基于新型退化指标的预测框架,结合分数阶灰色模型与无迹粒子滤波算法,有效提升了电池寿命预测的精度与鲁棒性。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务(如PowerTitan、PowerStack系列)具有极高的应用价值。电池寿命预测是储能系统安全运维的核心,该算法可集成至iSolarCloud智能运维平台,通过更精准的RUL评估,优化电池簇的充放电策略,延长系统全生命周期收益。建议研发团队将该分数阶灰色模型与无迹粒子滤...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

一种用于低压应用带同步整流器的10-MHz谐振变换器

A 10-MHz Resonant Converter With a Synchronous Rectifier for Low-Voltage Applications

Ke Jin · Ling Gu · Jingjing Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

本文提出了一种适用于低压输出应用的高频DC-DC变换器,采用同步整流技术。该拓扑由Class Φ2逆变器和同步Class E电流驱动整流器组成,具有开关电压应力低、瞬态响应快及高效率的特点。

解读: 该研究聚焦于兆赫兹级高频功率变换技术,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品具有前瞻性参考价值。通过提升开关频率,可显著减小磁性元件体积,助力产品功率密度提升。建议研发团队关注其Class Φ2逆变器拓扑在低压侧的应用潜力,特别是在追求极致轻量化和高效率的户用储能或微型逆变器场景中,可作为下一...

拓扑与电路 双向DC-DC 储能变流器PCS 微电网 ★ 4.0

混合交直流微电网中对称CLLC直流变压器的综合协调频率控制

Comprehensive Coordinated Frequency Control of Symmetrical CLLC-DC Transformer in Hybrid AC/DC Microgrids

Jingjing Huang · Xin Zhang · Aimin Zhang · Peng Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月

在混合交直流微电网中,高频直流变压器(DCT)是实现交直流子网间功率传输的关键。由于双向交直流变换器面临多重控制任务及功率传输模式切换的挑战,本文提出了一种综合协调频率控制策略,旨在优化DCT的系统级控制器设计,提升微电网的稳定性和响应能力。

解读: 该研究聚焦于CLLC谐振变换器在混合微电网中的频率协调控制,这与阳光电源PowerTitan和PowerStack系列储能系统中的DC-DC变换模块高度相关。随着光储一体化及交直流微电网应用的增加,提升DCT在复杂工况下的动态响应和稳定性至关重要。建议研发团队关注该文提出的多目标协调控制策略,将其应...

拓扑与电路 多电平 PWM控制 PFC整流 ★ 4.0

一种用于五电平飞跨电容整流器的最优PWM序列载波调制方案

A Carrier-Based Discontinuous PWM Scheme With Optimal PWM Sequences for a Five-Level Flying Capacitor Rectifier

Peng Zhang · Xuezhi Wu · Jing Wang · Wenzheng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月

五电平飞跨电容(5L-FC)整流器因其器件数量少、功率密度高及可靠性好等优势,在单向功率应用中表现突出。为进一步提升效率,本文研究了适用于5L-FC整流器的载波基不连续PWM(DPWM)方法,通过优化PWM序列有效降低了开关损耗。

解读: 该技术对阳光电源的集中式光伏逆变器及大功率整流应用具有重要参考价值。五电平飞跨电容拓扑能显著提升功率密度并降低开关损耗,有助于优化阳光电源大功率产品(如PowerTitan储能系统或大型集中式逆变器)的散热设计与效率指标。建议研发团队关注该DPWM优化算法在多电平拓扑中的工程化落地,以进一步提升产品...

拓扑与电路 DC-DC变换器 储能变流器PCS 充电桩 ★ 4.0

一种具有可变电压比的多模式谐振开关电容DC/DC变换器

A Multiple-Modes Resonant Switched Capacitor DC/DC Converter With Variable Voltage Ratios

Jingjing Qi · Xuezhi Wu · Long Jing · Wenzheng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

本文提出了一种新型谐振开关电容DC/DC变换器,旨在满足数据中心、直流配电网及混合动力汽车对高降压比、高效率和高功率密度的需求。该变换器支持多模式运行以实现多种电压比,通过灵活分配占空比,有效提升了系统在不同工况下的转换效率与灵活性。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。在储能PCS中,高效率的DC/DC变换级是提升系统整体能效的关键,该多模式谐振拓扑有助于在电池电压波动较大的场景下保持高效转换。此外,在充电桩产品中,该方案的高降压比特性可优化功率模块设计...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

10kV碳化硅(SiC) MOSFET的短路特性与保护研究

Short-Circuit Characterization and Protection of 10-kV SiC mosfet

Shiqi Ji · Marko Laitinen · Xingxuan Huang · Jingjing Sun 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月

本文研究了第三代10kV/20A SiC MOSFET在不同温度下的短路性能。文章详细介绍了包含桥臂配置、高速10kV固态断路器及温控系统的测试平台,并提出了一种响应时间仅为1.5μs的新型FPGA短路保护电路。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及储能系统(如PowerTitan系列)中对高压、高效率功率变换的需求日益增长,SiC器件的应用已成为提升功率密度和系统效率的关键。10kV SiC MOSFET技术若成熟,将极大简化中高压光伏并网及储能PCS的拓扑结构,减少变压器级联需求。本文提出的高速短路保护方案对于提...

光伏发电技术 ★ 5.0

屋顶光伏模型的开发以支持城市建筑能源建模

Development of rooftop photovoltaic models to support urban building energy modeling

Zhiyuan Wang · Jingjing Yang · Guangchen Li · Chengjin Wu 等6人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.378

开发屋顶光伏(PV)系统有助于发电并减少建筑领域的碳排放。本文提出了一种屋顶光伏建模方法,以支持采用原型城市建筑能源建模(UBEM)方法和逐栋建筑UBEM方法的城市建筑能源建模。所开发的光伏建模方法适用于具有矩形平屋顶、坡屋顶以及任意形状平屋顶的建筑。该方法可自定义屋顶光伏的主要布局配置参数,包括光伏组件尺寸、倾角、方位角、堆叠行数以及组件之间的行间距。本研究选取中国长沙市的一个区域作为案例,收集了该区域的基本建筑信息,包括建筑类型、建筑基底轮廓、建造年份以及楼层数。结果表明,通过人工检查,光伏...

解读: 该城市建筑屋顶光伏建模技术对阳光电源SG系列逆变器的城市级部署具有重要参考价值。研究揭示的排间距优化(>1m时发电量随间距减小而增加)可指导我们的MPPT算法在复杂遮挡场景下的优化策略。建筑间遮挡导致5.57%发电损失的发现,可结合iSolarCloud平台开发城市光伏选址评估工具,为分布式光伏项目...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

具有抑制负向阈值电压漂移和增强抗误开启能力的分裂p-GaN栅HEMT

Split-p-GaN Gate HEMT With Suppressed Negative Vth Shift and Enhanced Robustness Against False Turn-On

Yunhong Lao · Jin Wei · Maojun Wang · Jingjing Yu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月

在肖特基型 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的发展过程中,阈值电压($V_{\text {th}}$)不稳定一直是一个突出问题。在高漏源电压($V_{\text {DS}}$)偏置下,浮空 p - GaN 的电位会因栅/漏耦合势垒降低(GDCBL)效应而升高,从而导致明显的负阈值电压($V_{\text {th}}$)漂移。在快速开关操作期间,负阈值电压($V_{\text {th}}$)漂移会严重加剧误开启问题。在这项工作中,提出了一种分裂 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管...

解读: 从阳光电源光伏逆变器和储能系统的业务视角来看,该论文提出的分离式p-GaN栅极HEMT技术具有重要的应用价值。GaN功率器件是我们高频、高效率逆变器产品的核心部件,但传统Schottky型p-GaN栅极器件在高压偏置下存在的阈值电压负漂移问题,一直是制约其在高功率密度应用中可靠性的关键瓶颈。 该技...