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具有零电流开关的交错式半桥反激变换器
Interleaved Half-Bridge Flyback Converter With Zero-Current Switching
Tsorng-Juu Liang · Ming-Hsien Cheng · Wen-Yu Huang · Wei-Jing Tseng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
传统的交错式半桥反激变换器虽能回收漏感能量以钳位开关电压，但仍存在较高的开关损耗，尤其是关断损耗。本文提出了一种新型零电流转换（ZCT）电路，旨在有效降低开关关断损耗，提升变换器整体效率。
解读: 该技术主要涉及DC-DC变换拓扑优化，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品线具有重要参考价值。通过引入ZCT电路降低开关损耗，可显著提升高频化设计下的整机效率，有助于缩小产品体积并优化散热设计。建议研发团队评估该拓扑在小功率段（如户用储能DC-DC级）的应用潜力，以提升产品功率密度和市场竞...
无线充电系统中非平面线圈的曲率角分裂抑制与优化
Curvature Angle Splitting Suppression and Optimization on Nonplanar Coils Used in Wireless Charging System
Feng Wen · Fansheng Jing · Qiang Li · Rui Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文研究了无线电能传输（WPT）系统中锥形和弯曲线圈的性能优化问题。针对线圈弯曲导致的传输性能下降，建立了线圈数学模型并分析了磁通特性，重点研究了曲率角分裂现象及其产生机制，并提出了相应的抑制与优化策略。
解读: 该研究聚焦于无线电能传输（WPT）中的线圈磁场优化，与阳光电源目前的电动汽车充电桩业务存在技术关联。随着未来大功率无线充电技术的演进，线圈的结构优化与磁场耦合效率提升是提升充电桩用户体验的关键。建议研发团队关注该文献中关于非平面线圈磁通分析的方法论，将其作为储备技术，以应对未来在移动充电或特定工业场...
基于原位形成AgIn₂涂层的铟热界面材料无助焊剂键合技术研究
Investigation on Indium Thermal Interface Materials Fluxless Bonding Technology via In Situ Formed AgIn₂ Coating
Jing Wen · Yi Fan · Guoliao Sun · Jinyang Su 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2024年12月
铟（In）是高功率中央处理器（CPU）芯片广泛采用的焊料热界面材料（TIM1），这主要是因为它能提升散热性能。然而，在焊球回流过程中，被困在铟焊料内的有机助焊剂残留物会释放气体，导致铟TIM1中产生大量空洞（空洞率约35%），这限制了其在先进球栅阵列（BGA）封装中的应用。在本文中，为实现无助焊剂铟回流并获得低空洞率的铟TIM1，在厚铟TIM1表面电镀一层薄银（Ag）层，以原位生成AgIn₂涂层，该涂层可防止铟氧化。因此，回流过程中无需使用助焊剂去除焊料的氧化层。经过一次铟回流和三次焊球回流后，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项铟基无助焊剂热界面材料技术具有重要的应用价值。在光伏逆变器和储能系统中，功率半导体器件（如IGBT、SiC MOSFET）的散热性能直接影响系统的可靠性和功率密度。随着我们产品向更高功率密度和更严苛环境应用发展，传统TIM材料的空洞问题（35%空洞率）严重制约了散热效率...